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RoHS10物質対応(4)
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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET30 V 17 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro￥889税込￥978
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 17 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 60 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.2V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -16 V， +16 V●幅 ： 6.2mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 12 A， 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)STMicro￥1,398税込￥1,538
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 45 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 40 W長さ = 6.6mmPチャンネルSTripFETΩパワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics トランジスタ， PNP， 表面実装， -5 A， STD888T4STMicro￥859税込￥945
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仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -30 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●最大パワー消費 ： 15 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 2.4×6.6×6.2mm●PNPパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
