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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro
169,800税込186,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  トライアック, 1200V, 25A, 3-Pin D2PAK (TO-263) STMicroSTマイクロ, トライアック, 1200V, 25A, 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro
19,980税込21,978
1セット(50個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 25A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 1200Vサージ電流レーティング = 252Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V最大保持電流 = 60mA寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm長さ = 10.28mm幅 = 9.35mm高さ = 4.6mmピークオンステージ電圧 = 1.55VSTMicroelectronics 25 → 40 A トライアック
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  トライアック, 600V, 12A, 3-Pin D2PAK (TO-263) STMicroSTマイクロ, トライアック, 600V, 12A, 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro
1,498税込1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  トライアック, 600V, 16A, 3-Pin D2PAK (TO-263) STMicroSTマイクロ, トライアック, 600V, 16A, 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro
6,998税込7,698
1セット(50個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ, トライアック, 600V, 12A, 3-Pin D2PAK (TO-263) STMicroSTマイクロ, トライアック, 600V, 12A, 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro
1,398税込1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様定格平均オン電流 = 12A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 126Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 50mA寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm長さ = 10.28mm幅 = 9.35mm高さ = 4.6mm動作温度 Max = +125 ℃TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
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