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仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-201AD●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 1000V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 1.7V●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 75ns●直径 : 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 55A●整流ダイオード、1 A → 3 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(600個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Min = -65 ℃PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
95 税込105
翌々日出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DOP3I●最大連続 順方向電流 : 30A●ピーク逆繰返し電圧 : 1000V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 2V●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 100ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 180A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1個
599 税込659
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 700 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 350 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.85 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 160 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-247●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
14,980 税込16,478
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 8.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.38 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 230 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1000 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.7 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
16,980 税込18,678
7日以内出荷



トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,598 税込3,958
5日以内出荷

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,898 税込4,288
5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 450 V●パッケージタイプ : SOT-32●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 40 W●最小DC電流ゲイン : 12●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 1000 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●高電圧トランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
4,998 税込5,498
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 1000●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 4 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.2mA●動作温度 Min : -65 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,898 税込4,288
7日以内出荷

1セット(50個)
3,698 税込4,068
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