「3v1000」の検索結果
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RoHS
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DO-201AD●最大連続 順方向電流 ： 3A●ピーク逆繰返し電圧 ： 1000V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： スイッチング●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： 1.7V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 ： 75ns●直径 ： 5.3mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 55A●整流ダイオード、1 A → 3 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(600個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Min = -65 ℃PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥159
税込￥175
翌々日出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： DOP3I●最大連続 順方向電流 ： 30A●ピーク逆繰返し電圧 ： 1000V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： スイッチング●ダイオードタイプ ： 整流器●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： 2V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 ： 100ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 180A●整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥499
税込￥549
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 700 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 350 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥28,980
税込￥31,878
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.85 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 160 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 5.15mm●高さ ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥11,980
税込￥13,178
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 8.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.38 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 230 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥11,980
税込￥13,178
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥16,980
税込￥18,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥17,980
税込￥19,778
7日以内出荷
トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 1000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA。幅 = 4.6mm。NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,698
税込￥4,068
5日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 1000●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.2mA●動作温度 Min ： -65 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,698
税込￥4,068
7日以内出荷
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