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RoHS10物質対応(36)
「3v800」の検索結果
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥999税込￥1,099
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics LDOレギュレータ 800mA， 3.3 V 固定出力， 2.5～13 V入力， 3-Pin DPAKSTMicro￥829税込￥912
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = DPAK出力電流 Max = 800mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.5 V入力電圧 Max = 13 Vピン数 = 3出力数 = 1静止電流 = 2mA精度 = ±1%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 6.2mmLDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、800 mA → 1 ARoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 40A， 3-Pin TOP3STMicro￥739税込￥813
1個
5日以内出荷
仕様●定格平均オン電流： 40A●実装タイプ： スルーホール●パッケージタイプ： TOP3●最大ゲートトリガー電流： 100mA●繰返しピーク逆方向電圧： 800V●サージ電流レーティング： 420A●ピン数： 3●最大ゲートトリガー電圧： 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧： 800V●最大保持電流： 80mA●寸法： 15.5×4.6×12.85mm●長さ： 15.5mm●幅： 4.6mm●高さ： 12.85mm●動作温度 Max： +125 ℃mA●STMicroelectronics 25 → 40 A トライアックRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 6A， 3-Pin TO-220ABSTMicro￥2,498税込￥2,748
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●定格平均オン電流： 6A●実装タイプ： スルーホール●パッケージタイプ： TO-220AB●最大ゲートトリガー電流： 50mA●繰返しピーク逆方向電圧： 800V●サージ電流レーティング： 63A●ピン数： 3●最大ゲートトリガー電圧： 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧： 600V●最大保持電流： 50mA●寸法： 10.4×4.6×15.9mm●長さ： 10.4mm●幅： 4.6mm●高さ： 15.9mm●動作温度 Max： +125 ℃mA●トライアック、最大6 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 40A， 3-Pin RD-91STMicro￥28,980税込￥31,878
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●定格平均オン電流： 40A●実装タイプ： パネルマウント●パッケージタイプ： RD-91●最大ゲートトリガー電流： 100mA●繰返しピーク逆方向電圧： 800V●サージ電流レーティング： 420A●ピン数： 3●最大ゲートトリガー電圧： 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧： 800V●最大保持電流： 80mA●寸法： 40×27×14mm●長さ： 40mm●幅： 27mm●高さ： 14mm●動作温度 Min： -40 ℃mA●STMicroelectronics 25 → 40 A トライアックRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， サイリスタ SCR， 800V， 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様定格平均オン電流 = 16Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 314A実装タイプ = 表面実装最大ゲートトリガー電流 = 40mA最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V最大保持電流 = 50mAピン数 = 3長さ = 10.28mm幅 = 9.35mm高さ = 4.6mm寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm動作温度 Max = +125 ℃サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 9 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 Vトランジスタ素材 Simm高さ 9.3mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 12A， 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro￥339税込￥373
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●定格平均オン電流： 12A●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： D2PAK (TO-263)●最大ゲートトリガー電流： 35mA●繰返しピーク逆方向電圧： 800V●サージ電流レーティング： 126A●ピン数： 3●最大ゲートトリガー電圧： 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧： 800V●最大保持電流： 35mA●寸法： 10.28×9.35×4.6mm●長さ： 10.28mm●幅： 9.35mm●高さ： 4.6mm●動作温度 Min： -40 ℃mA●TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 25A， 3-Pin TO-220ABSTMicro￥18,980税込￥20,878
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●定格平均オン電流 ： 25A●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220AB●最大ゲートトリガー電流 ： 50mA●サージ電流レーティング ： 260A●ピン数 ： 3●繰返しピーク順方向抑止電圧 ： 800V●最大保持電流 ： 50mA●寸法 ： 10.4×4.6×15.9mm●長さ ： 10.4mm●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.9mm●動作温度 Max ： +125 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 800 V， 3 A， 3 ピン パッケージTO-220FPSTMicro￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 25 W動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 12A， 3-Pin TO-220ABSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 12A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 50mA繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 126Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 50mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 15.9mm繰返しピークオフステート電流 = 1mATRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 4.3A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4.3A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.4 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 32.4 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 80 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 8A， 3-Pin TO-220ABSTMicro￥989税込￥1,088
1袋(5個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 8A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 10mA繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 84Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 15mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 15.9mm動作温度 Max = +150 ℃VTRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics オペアンプ， 表面実装， 1回路， ±2電源， 単一電源， TS321AILTSTMicro￥749税込￥824
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●電源タイプ ： ±2電源， 単一電源●回路数 ： 1●ピン数 ： 5●標準シングル供給電圧 ： 5 → 28 V●標準ゲイン帯域幅積 ： 800kHz●標準デュアル供給電圧 ： ±12 V， ±3 V， ±5 V， ±9 V●標準スルーレート ： 0.4V/μs●動作温度 Max ： +125 ℃●レール to レール ： No●寸法 ： 3×1.75×1.3mm●TS321、シングルオペアンプ、LM324、LM358の強化バージョン. TS321は、高ゲインと内部周波数補償の仕様を備えたバイポーラオペアンプです。この仕様は業界標準デバイスのLM358及びLM324と一致します。. SOT-23 5ピンパッケージ 大出力電圧スイング 低動作電流: 500 μA 低入力バイアス電流: 20 nA 低入力オフセット電圧 電源電圧: 3 → 30 VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， サイリスタ， SCR， 32A， 800V， BTW69-800RGSTMicro￥999税込￥1,099
1個
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 32Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TOP3繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 610A実装タイプ = スルーホール最大ゲートトリガー電流 = 80mA最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V最大保持電流 = 150mAピン数 = 3寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm動作温度 Max = +125 ℃Vサイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 16A， 3-Pin TO-220ABSTMicro￥1,198税込￥1,318
1袋(5個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 16A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 10mA繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 168Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 15mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 15.9mm動作温度 Max = +125 ℃VTRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， トライアック， 800V， 4A， 3-Pin TO-220ABSTMicro￥999税込￥1,099
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●定格平均オン電流： 4A●実装タイプ： スルーホール●パッケージタイプ： TO-220AB●最大ゲートトリガー電流： 35mA●繰返しピーク逆方向電圧： 800V●サージ電流レーティング： 31A●ピン数： 3●最大ゲートトリガー電圧： 1.3V●繰返しピーク順方向抑止電圧： 800V●最大保持電流： 35mA●寸法： 10.4×4.6×9.15mm●長さ： 10.4mm●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●動作温度 Max： +125 ℃mA●トライアック、最大6 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピンSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 4.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 4.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN パワートランジスタ， 400 V， 5 A， 3-Pin TO-220STMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 800 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 800 V， 250 mA， 3+Tab ピン パッケージSOT-223STMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22 nsNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
