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RoHS10物質対応(11)
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STMicroelectronics LDOレギュレータ 800mA， 3.3 V 固定出力， 2.5～13 V入力， 3-Pin DPAKSTMicro￥829税込￥912
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翌々日出荷
仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = DPAK出力電流 Max = 800mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 2.5 V入力電圧 Max = 13 Vピン数 = 3出力数 = 1静止電流 = 2mA精度 = ±1%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 6.2mmLDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、800 mA → 1 ARoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， サイリスタ SCR， 800V， 3-Pin D2PAK (TO-263)STMicro￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様定格平均オン電流 = 16Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 314A実装タイプ = 表面実装最大ゲートトリガー電流 = 40mA最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V最大保持電流 = 50mAピン数 = 3長さ = 10.28mm幅 = 9.35mm高さ = 4.6mm寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm動作温度 Max = +125 ℃サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 800 V， 3 A， 3 ピン パッケージTO-220FPSTMicro￥2,298税込￥2,528
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 25 W動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN パワートランジスタ， 400 V， 5 A， 3-Pin TO-220STMicro￥1,498税込￥1,648
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 800 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 800 V， 250 mA， 3+Tab ピン パッケージSOT-223STMicro￥1,398税込￥1,538
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 22 nsNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
