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STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 8 A, 3 ピン パッケージTO-247 STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 8 A, 3 ピン パッケージTO-247STMicro
529税込582
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 160 W幅 = 5.15mmNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 2.1 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 2.1 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
8,798税込9,678
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 6.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
18,980税込20,878
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 980 m Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
12,980税込14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
11,980税込13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro
229,800税込252,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 900 Vシリーズ MDmesh, SuperMESH実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 140 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V幅 9.35mm動作温度 Min -55 ℃mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
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