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STMicroelectronics PNP ダーリントンペア， 60 V， 5 A， hFE≧1000， 3-Pin TO-220STMicro

￥159税込￥175

1個

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA動作温度 Min = -65 ℃PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥12,980税込￥14,278

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 33 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥999税込￥1,099

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.8 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220STMicro

￥1,998税込￥2,198

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピンパッケージTO-220FPSTMicro

￥2,398税込￥2,638

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥6,698税込￥7,368

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 45 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥2,198税込￥2,418

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 45 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 100 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 417 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 5.15mm●動作温度 Min ： -65 ℃●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETSTMicro(1件のレビュー)

￥379～税込￥417～

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,698税込￥1,868

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 900 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-247STMicro

￥529税込￥582

1個

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 160 W幅 = 5.15mmNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

OMNIFET II Protected MOSFETSTMicro

￥599,800税込￥659,780

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RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFETドライバデュアルSTMicro

￥2,898～税込￥3,188～

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STMicroelectronics MOSFETドライバ 1チャンネルSTMicro

￥1,298～税込￥1,428～

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STMicroelectronics OMNIFET: 完全自動保護パワーMOSFETSTMicro

￥129,800税込￥142,780

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STMicroelectronics MOSFET 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro

￥41,980税込￥46,178

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仕様●パッケージタイプ： SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大パワー消費： 1.6 W●トランジスタ構成：シングル●幅： 3.7mm●高さ： 1.8mm●The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.Very low collector to emitter saturation voltage 3A continuous collector current DC current gain， hFE >100 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing 40 V breakdown voltage V(BR)CER Applications Power management in portable equipment Voltage regulation in bias supply circuits Switching regulator in battery charger applications Heavy load driverRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFET 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥1,798税込￥1,978

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仕様●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大パワー消費： 15 W●トランジスタ構成：シングル●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 2.17mm●The device is manufactured in Planar technology with ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.This device is qualified for automotive application High current gain characteristic Very low collector to emitter saturation voltage Surface-mounting DPAK (TO-252) power package in tape& reel (suffix ”；T4) Fast-switching speed Applications CCFL drivers Voltage regulators Relay drivers High efficiency， low voltage， switching applicationsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET55 V 80 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥589,800税込￥648,780

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥1,598税込￥1,758

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.2mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro

￥329,800税込￥362,780

1セット(1000個)

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFETSTMicro

￥959～税込￥1,055～

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RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(8)

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥11,980税込￥13,178

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チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.6 A SO 1 16-Pin ハーフブリッジ反転表面実装STMicro

￥1,998税込￥2,198

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仕様●出力電流： 0.6 A●供給電圧： 16V●ピン数： 16●パッケージタイプ： SO●出力数： 1●トポロジー：ハーフブリッジ●高/低サイド依存性：依存●時間遅延： 400ns●ブリッジタイプ：ハーフブリッジ●極性：反転●実装タイプ：表面実装●MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 14-Pin ハーフブリッジ非反転表面実装STMicro

￥8,898税込￥9,788

1セット(50個)

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ロジックタイプ = CMOS， TTL出力電流 = 0.65 A供給電圧 = 17Vピン数 = 14パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハーフブリッジ高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.7 A PowerSO 8 36-Pin ハイサイド非反転表面実装STMicro

￥1,298税込￥1,428

1個

7日以内出荷

仕様●出力電流： 0.7 A●供給電圧： 45V●ピン数： 36●パッケージタイプ： PowerSO●出力数： 8●トポロジー：ハイサイド●高/低サイド依存性：独立●ドライバ数： 1●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●インテリジェントハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. インテリジェント電源スイッチ(IPS)には、ロジックインターフェイス、ドライバ、制御セクションの診断 / 保護機能、ハイサイド構成用のパワーステージが集積されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 8-Pin ハーフブリッジ非反転表面実装STMicro

￥1,198～税込￥1,318～

1袋(5個)ほか

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RoHS指令(10物質対応)対応

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STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.43 A SOIC 1 14-Pin ハーフブリッジ反転，非反転表面実装STMicro

￥9,998税込￥10,998

1セット(50個)

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仕様●ロジックタイプ： CMOS， TTL●出力電流： 0.43 A●供給電圧： 20V●ピン数： 14●パッケージタイプ： SOIC●出力数： 1●トポロジー：ハーフブリッジ●高/低サイド依存性：シンクロナス●ドライバ数： 1●ブリッジタイプ：ハーフブリッジ●極性：反転，非反転●実装タイプ：表面実装●MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンSTMicro

￥289,800税込￥318,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET(TM)実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 55 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2 W●トランジスタ構成：絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧： -15 V， +15 V●幅： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics デュアル MOSFETドライバ， 0.65A， 17 V max. ， 14-Pin SOICSTMicro

￥409税込￥450

1袋(2個)

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仕様ドライバ数 = 2動作供給電圧 Max = 17 Vトポロジー = ハーフブリッジ実装タイプ = 表面実装ピーク出力電流 = 0.65A出力数 = 2極性 = 非反転パッケージタイプ = SOICピン数 = 14入力ロジック互換性 = CMOS， TTL高/低サイド依存性 = 独立高さ = 1.65mmMOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピンSTMicro

￥2,698税込￥2,968

1袋(10個)

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SO-8●実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 21 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2.5 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧： 1.2VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro

￥239,800税込￥263,780

1セット(4000個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 100 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 3.3 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装パッケージPowerSO 10 ピンSTMicro

￥3,500税込￥3,850

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●パッケージタイプ： PowerSO●実装タイプ：表面実装●ピン数： 10●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 73 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●標準パワーゲイン： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 8.3 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥11,980税込￥13,178

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 8.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.38 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 230 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 2.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥28,980税込￥31,878

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1500 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 9 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 140 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●高さ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 4 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥23,980税込￥26,378

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 7 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 160 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥15,980税込￥17,578

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 15 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 45 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 35 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥6,798税込￥7,478

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 45 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 115 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥16,980税込￥18,678

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.7 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET550 V 13 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥409税込￥450

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 550 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 240 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 90 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●幅： 4.6mm●高さ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM)M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥21,980税込￥24,178

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 158 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 7.2 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥13,980税込￥15,378

1セット(50個)

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仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 850 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応