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STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220
STMicro
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピンパッケージTO-220FP
STMicro
￥2,598税込￥2,858
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 900 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-247
STMicro
￥799税込￥879
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 160 W幅 = 5.15mmNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
STMicro
￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 24 A， 3 ピンパッケージDPAK (TO-252)
STMicro
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -18 V， +18 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET
STMicro(1件のレビュー)
￥1,898～税込￥2,088～
1袋(5個)ほか
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STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 15 A， 3 ピンパッケージTO-220 STripFET シリーズ
STMicro
￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 45 A， 3 ピンパッケージTO-247 MDmesh シリーズ
STMicro
￥2,498税込￥2,748
1個
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 45 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 3800 pF @ 25 VNチャンネルMDmeshΩ、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 16 A， 3 ピンパッケージTO-220 STripFET シリーズ
STMicro
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT
STMicro
￥819税込￥901
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