「br-w2」の検索結果

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 27.2V最小ブレークダウン電圧 14.3V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 12.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 147A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 3.53mmTransil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 146V最小ブレークダウン電圧 77.9V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 70Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 69A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 5.3mmTransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 388V最小ブレークダウン電圧 209V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 188Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 26A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 9.5 5.3 5.3mmテスト電流 1mATransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 32.5V最小ブレークダウン電圧 17.1V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 15.3Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 308A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 9.5 5.3 5.3mm幅 5.3mmTransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 27.2V最小ブレークダウン電圧 14.3V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 12.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 368A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 5.3mmTransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 121V最小ブレークダウン電圧 64.6V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 58Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 83A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 9.5 5.3 5.3mmテスト電流 1mATransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 59V最小ブレークダウン電圧 31.4V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 28.2Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 68A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 3.53mmTransil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 111V最小ブレークダウン電圧 58.9V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ 1.5KE最大逆スタンドオフ電圧 53Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 90A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 9.5 5.3 5.3mm幅 5.3mmTransil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 212V最小ブレークダウン電圧 114V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 102Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 47A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 5.3mmTransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 706V最小ブレークダウン電圧 380V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 342Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 5.7A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 6.75 3.53 3.53mm幅 3.53mmTransil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 13.4V最小ブレークダウン電圧 6.45V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 5.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 298A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 3.53mmTransil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 双方向最大クランピング電圧 53.5V最小ブレークダウン電圧 28.5V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 25.6Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 187A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 5.3mmTransil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 双方向最大クランピング電圧 13.4V最小ブレークダウン電圧 6.45V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 5.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 298A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 6.75 3.53 3.53mm高さ 3.53mmTransil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 双方向最大クランピング電圧 776V最小ブレークダウン電圧 418V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 376Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 5.2A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm高さ 3.53mmTransil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 69.7V最小ブレークダウン電圧 37.1V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 33.3Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 57A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 6.75 3.53 3.53mm高さ 3.53mmTransil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 64.3V最小ブレークダウン電圧 34.2V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 30.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 62A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 3.53mmTransil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 53.5V最小ブレークダウン電圧 28.5V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 25.6Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 75A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm高さ 3.53mmTransil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 317V最小ブレークダウン電圧 171V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 154Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 12.6A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 3.53mmTransil TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 111V最小ブレークダウン電圧 58.9V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 53Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 90A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 9.5 5.3 5.3mm高さ 5.3mmTransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

方向性タイプ 双方向最大クランピング電圧 59V最小ブレークダウン電圧 31.4V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 28.2Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 169A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 5.3mmTransil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 90V最小ブレークダウン電圧 43.3V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ R 6最大逆スタンドオフ電圧 39Vピン数 2ピークパルスパワー消費 5000W最大ピークパルス電流 667A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Max +175 ℃mmテスト電流 1mATransil TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 706V最小ブレークダウン電圧 380V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 342Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 5.7A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 6.75 3.53 3.53mm幅 3.53mmTransil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 64.3V最小ブレークダウン電圧 34.2V実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 30.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 156A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -40 ℃動作温度 Max +150 ℃mm高さ 2.45mmTransil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 13.4V最小ブレークダウン電圧 6.45V実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SMC最大逆スタンドオフ電圧 5.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 746A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -55 ℃動作温度 Max +150 ℃mm幅 6.25mmTransil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 64.3V最小ブレークダウン電圧 34.2V実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SMC最大逆スタンドオフ電圧 30.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 156A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -55 ℃寸法 7.15 6.25 2.45mm幅 6.25mmTransil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 30 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 16.4mmNチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 15.75mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 900 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 140 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 9.35mm動作温度 Min -55 ℃mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 70 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm高さ 9.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics