「mos fet」の検索結果

関連キーワード

113件中 1～40件

商品の詳細情報を参照する場合は
詳細表示が便利です

並び替え

おすすめ順

単価の安い順

単価の高い順

レビュー評価の高い順

レビューの多い順

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETSTMicro(1件のレビュー)

￥359～税込￥395～

1個ほか

7日以内出荷

バリエーション一覧へ(518)

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥12,980税込￥14,278

1セット(50個)

翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 33 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピンパッケージTO-220STMicro

￥1,998税込￥2,198

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥999税込￥1,099

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.8 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピンパッケージTO-220FPSTMicro

￥2,398税込￥2,638

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mmNチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥6,698税込￥7,368

1セット(50個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 45 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥2,198税込￥2,418

1個

5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 45 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 100 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 417 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 5.15mm●動作温度 Min ： -65 ℃●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

欠品中

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 900 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-247STMicro

￥529税込￥582

1個

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 160 W幅 = 5.15mmNチャンネルMDmeshΩ SuperMESHΩ、700 → 1200 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

OMNIFET II Protected MOSFETSTMicro

￥599,800税込￥659,780

1リール(2500個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics OMNIFET: 完全自動保護パワーMOSFETSTMicro

￥129,800税込￥142,780

1セット(1000個)

7日以内出荷

バリエーション一覧へ(11)

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET55 V 80 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥589,800税込￥648,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFETドライバデュアルSTMicro

￥2,898～税込￥3,188～

1袋(5個)ほか

7日以内出荷

バリエーション一覧へ(12)

STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 14-Pin ハーフブリッジ非反転表面実装STMicro

￥8,898税込￥9,788

1セット(50個)

7日以内出荷

ロジックタイプ = CMOS， TTL出力電流 = 0.65 A供給電圧 = 17Vピン数 = 14パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハーフブリッジ高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics PチャンネルパワーMOSFETSTMicro

￥959～税込￥1,055～

1袋(10個)ほか

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(8)

STMicroelectronics MOSFETドライバ 1チャンネルSTMicro

￥1,298～税込￥1,428～

1袋(5個)ほか

7日以内出荷

バリエーション一覧へ(13)

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro

￥329,800税込￥362,780

1セット(1000個)

7日以内出荷

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥1,598税込￥1,758

1袋(5個)

7日以内出荷

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.2mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥11,980税込￥13,178

1セット(50個)

7日以内出荷

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFET 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro

￥41,980税込￥46,178

1セット(1000個)

7日以内出荷

仕様●パッケージタイプ： SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大パワー消費： 1.6 W●トランジスタ構成：シングル●幅： 3.7mm●高さ： 1.8mm●The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.Very low collector to emitter saturation voltage 3A continuous collector current DC current gain， hFE >100 SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing 40 V breakdown voltage V(BR)CER Applications Power management in portable equipment Voltage regulation in bias supply circuits Switching regulator in battery charger applications Heavy load driverRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 16 A， 3 ピンパッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro

￥1,298税込￥1,428

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 200 V， 15 A， 3 ピンパッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro

￥1,698税込￥1,868

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFET 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大パワー消費： 15 W●トランジスタ構成：シングル●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 2.17mm●The device is manufactured in Planar technology with ”；Base Island”； layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.This device is qualified for automotive application High current gain characteristic Very low collector to emitter saturation voltage Surface-mounting DPAK (TO-252) power package in tape& reel (suffix ”；T4) Fast-switching speed Applications CCFL drivers Voltage regulators Relay drivers High efficiency， low voltage， switching applicationsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンSTMicro

￥289,800税込￥318,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET(TM)実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 55 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2 W●トランジスタ構成：絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧： -15 V， +15 V●幅： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装パッケージPowerSO 10 ピンSTMicro

￥3,500税込￥3,850

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●パッケージタイプ： PowerSO●実装タイプ：表面実装●ピン数： 10●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 73 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●標準パワーゲイン： 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro

￥239,800税込￥263,780

1セット(4000個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 100 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.8V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 3.3 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -16 V， +16 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 7.5 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピンSTMicro

￥2,698税込￥2,968

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●パッケージタイプ： SO-8●実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 21 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2.5 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±16 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●順方向ダイオード電圧： 1.2VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥25,980税込￥28,578

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 20 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： FDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 290 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 192 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 37 nC @ 10 Vmm●高さ： 9.15mm●NチャンネルFDmesh(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 13 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥28,980税込￥31,878

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●パッケージタイプ： TO-247●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 700 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 350 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 8 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥40,980税込￥45,078

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 8 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 2.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 320 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥6,698税込￥7,368

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 200 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 400 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 75 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥9,698税込￥10,668

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 400 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 550 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥14,980税込￥16,478

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 950 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●高さ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥439税込￥483

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 250 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 110W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 12 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥419税込￥461

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 12 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 320 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 25 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,898税込￥2,088

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 80 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,398税込￥1,538

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 70 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 85 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 50 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥8,398税込￥9,238

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 28 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●トランジスタ素材： Simm●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥6,998税込￥7,698

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 400 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 550 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 110 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●高さ： 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 6.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1.85 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 160 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 4.6mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応