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仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : MELF●最大連続 順方向電流 : 500mA●ピーク逆繰返し電圧 : 80V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 10A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥579
税込¥637
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-247●最大連続 順方向電流 : 80A●ピーク逆繰返し電圧 : 170V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 500A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ;ul> ;li>無視できるほど低いスイッチング損失 ;/li> ;li>アバランシェ定格 ;/li> ;li>低漏洩電流 ;/li> ;li>漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ;/li> ;li>絶縁パッケージ ISOTOP: ;/li> ;/ul> 絶縁電圧: 2500 VRMS 静電容量:45 pF
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥849
税込¥934
5日以内出荷
仕様●コンパレータタイプ: デュアル●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOT-23●電源タイプ: 単一電源●出力タイプ: プッシュプル●回路数: 1●標準応答時間: 500ns●ピン数: 5●標準シングル供給電圧: 2.7 → 10 V●寸法: 3×1.75×1.3mm●長さ: 3mm●幅: 1.75mm●高さ: 1.3mm●標準CMRR: 70dB●標準PSRR: 80dB●コンパレータ、ST Microelectronics. 高速コンパレータ(応答時間が速い) 低消費電力コンパレータ(低動作電流: 210 nA) 耐熱性認定デバイス 車載用グレードのコンパレータは、AEC-Q100及びAEC-Q101の認定を取得
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 80 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 4.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,898
税込¥2,088
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,198
税込¥1,318
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4.3A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2.4 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 32.4 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,498
税込¥2,748
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,798
税込¥1,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥16,980
税込¥18,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 4.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,498
税込¥1,648
7日以内出荷
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