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STP80NF55-06STMicro￥999税込￥1,099
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長さ(mm)10.4幅(mm)4.6高さ(mm)9.15タイプ【パッケージ】TO-220シリーズSTripFETIIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)80最大ドレイン-ソース間電圧(V)55最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.5最大ゲートしきい値電圧(V)4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20，+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ142nC@10V最大パワー消費300W最大動作温度(℃)175最小動作温度(℃)-55
STMicroelectronics ディスプレイドライバ STP16CP05MTRSTMicro￥569税込￥626
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： SOIC●ディスプレイタイプ ： LED●最大クロック周波数 ： 30MHz●供給電圧 ： 5 V、9 V、12 V、15 V、18 V、24 V●セグメント数 ： 16●最大供給電流 ： 11.7mA●動作温度 Min ： -40℃●実装タイプ ： 表面実装℃●幅 ： 7.6mm●高さ ： 2.45mm●長さ ： 15.6mm●LEDアレイドライバ、STMicroelectronics. このLEDアレイドライバは、定電流制御と、高輝度LEDの駆動に必要なすべての機能を搭載しています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ディスプレイドライバ STP08DP05TTRSTMicro￥1,098税込￥1,208
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7日以内出荷
パッケージタイプ = TSSOPディスプレイタイプ = LEDピン数 = 16供給電圧 = 2.5 V、3.3 V、5 V最大供給電流 = (Off， On) 13.5mA動作温度 Min = -40℃実装タイプ = 表面実装℃幅 = 4.5mm高さ = 1.05mm長さ = 5.4mm最小3 Vの低電圧電源 定電流出力チャンネル x 8 外部抵抗から出力電流を調整可能 短絡 / 開回路出力エラー検出 シリアルデータ入力 / パラレルデータ出力 3.3 V マイクロドライバに対応 出力電流： 5-100 mA クロック周波数: 30 MHz 熱効率の高い TSSOP 露出パッドで提供されます
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ディスプレイドライバ STP16CPC26MTRSTMicro￥159税込￥175
1個
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： SO●ディスプレイタイプ ： LED●ピン数 ： 24●供給電圧 ： 2.7 → 5.5 V●最大供給電流 ： (Off) 13.5 mA， (On) 15mA●動作温度 Min ： -40℃●実装タイプ ： 表面実装℃●幅 ： 7.6mm●高さ ： 2.35mm●長さ ： 15.6mm●STP16CPC26 は、モノリシックの低電圧 16 ビット定電流 LED シンクドライバです。このデバイスには、 16 ビットシフトレジスタとデータラッチがあり、シリアル入力データをパラレル出力形式に変換します。出力段では、 16 個の調整型電流ジェネレータが 5 → 90 mA の定電流を供給して LED を駆動します。電流は抵抗器を介して外部で調整されます。LED の輝度は、 OE ピンを使用して 0 → 100 % に調整できます。 STP16CPC26 では、 20 V の駆動機能が保証されているため、各電流源により多くの LED を直列接続することができます。 30 MHz の高いクロック周波数により、このデバイスは高データレート伝送に適しています。 サーマルシャットダウン(約 15 ° C のヒステリシスで 170 ° C )により、過熱事象に対する保護を保証します。 STP16CPC26 は、 QSOP24 、 SO-24 、 TSSOP-24 、 HTSSOP-24 (露出パッド付き)の 4 つのパッケージに収容されています。定電流出力チャンネル x 16 外部抵抗から出力電流を調整可能 出力電流： 5 → 90 mA ビット間の標準電流精度： ± 1 % 最大クロック周波数： 30MHz 発電機定格電圧： 20 V 3 → 5.5 V の電源 過熱保護のためのサーマルシャットダウンRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics ディスプレイドライバ STP08DP05XTTRSTMicro￥199税込￥219
1個
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： TSSOP●ディスプレイタイプ ： LED●ピン数 ： 16●供給電圧 ： 4 → 6 V●最大供給電流 ： (Off， On) 13.5mA●動作温度 Min ： -40℃●実装タイプ ： 表面実装℃●幅 ： 4.5mm●高さ ： 1.05mm●長さ ： 5.4mm●最小3 Vの低電圧電源 定電流出力チャンネル x 8 外部抵抗から出力電流を調整可能 短絡 / 開回路出力エラー検出 シリアルデータ入力 / パラレルデータ出力 3.3 V マイクロドライバに対応 出力電流： 5-100 mA クロック周波数: 30 MHz 熱効率の高い TSSOP 露出パッドで提供されます ESD 保護： 2.5 kV HBM 、 200 V MMRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220STMicro￥1,998税込￥2,198
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翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， ショットキーバリアダイオード， 10A， 200V， 2-Pin DO-214AA (SMB)STMicro￥2,698税込￥2,968
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翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 4.6mm幅 = 3.95mm高さ = 1.1mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100Aショットキーバリアダイオード、10 A → 16 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 40 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 40 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 33 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -17 V， +17 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥999税込￥1,099
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 40 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， ショットキーバリアダイオード， 12A， 650V， 2-Pin TO-220ACSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 650V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = SiCショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.65V長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 15.75mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 220AAEC-Q101. 車載用シリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオード、STMicroelectronics. シリコンカーバイド(SiC)ダイオードは、超高性能のパワーショットキー整流器です。型番の末尾が「-Y」のこの部品は、車載用品質(AEC-Q101対応)となっています。. 高効率によりパワーコンバータの価値を向上 パワーコンバータのサイズとコストを削減 EMCの影響を受けにくく、認定取得が簡単になり、市場投入までの期間を短縮 優れた堅牢性により非常に高い信頼性を発揮. ゼロ又は無視できるレベルの逆回復. 温度によって変わらないスイッチング動作. 高順方向サージ機能. PPAP対応 ECOPACK 2対応コンポーネント. AEC-Q101認定. RS製品コード. ； 110-6562 110-6562 STPSC10H065GY-TR SiCショットキーダイオード(650 V、10 A、D2PAK) ； 124-1124 124-1124 STPSC12065DY SiCショットキーダイオード(650 V、12 A、TO-220AC) ； 124-1127 124-1127 STPSC20065DY SiCショットキーダイオード(650 V、20 A、TO-220AC) ； 124-1128 124-1128 STPSC20065WY SiCショットキーダイオード(650 V、20 A、DO-247) ； 124-1129 124-1129 STPSC40065CWY SiCショットキーダイオード(デュアル650 V、20 A、TO-247)RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 2.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥28,980税込￥31,878
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1500 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 9 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， PWMコントローラ IC， 32-Pin QFNSTMicro￥2,398税込￥2,638
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大スイッチング周波数 ： 4 MHz●コントロール方法 ： 電流， 電圧●実装タイプ ： 表面実装●上昇時間 ： 3ns●ピン数 ： 32●最大デューティサイクル ： 60%●長さ ： 5.15mm●幅 ： 5.15mm●高さ ： 0.95mm●動作温度 Min ： -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 7.5A， 45V スルーホール， 2-Pin TO-220AC ショットキーSTMicro￥2,898税込￥3,188
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220AC●最大連続 順方向電流 ： 7.5A●ピーク逆繰返し電圧 ： 45V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 150A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 4 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥7,198税込￥7,918
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 70 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm高さ 9.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 35 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥6,798税込￥7,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 45 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 115 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 15 A， 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro￥1,698税込￥1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 7.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥13,980税込￥15,378
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 850 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 15A， 45V スルーホール， 2-Pin TO-220AC ショットキーSTMicro￥3,698税込￥4,068
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220AC●最大連続 順方向電流 ： 15A●ピーク逆繰返し電圧 ： 45V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 220A●ショットキーバリアダイオード、10 A → 16 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 1A， 30V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB) ショットキーSTMicro￥389税込￥428
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 75A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 7.5A， 45V スルーホール， 2-Pin TO-220FPAC ショットキーSTMicro￥529税込￥582
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220FPAC●最大連続 順方向電流 ： 7.5A●ピーク逆繰返し電圧 ： 45V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 150A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 1A， 150V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) ショットキーSTMicro￥779税込￥857
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AC (SMA)●最大連続 順方向電流 ： 1A●ピーク逆繰返し電圧 ： 150V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 75A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 2A， 25V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB) ショットキーSTMicro￥389税込￥428
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 ： 2A●ピーク逆繰返し電圧 ： 25V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 75A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 85 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 50 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥8,398税込￥9,238
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 16 A， 3 ピン パッケージTO-220 STripFET シリーズSTMicro￥1,298税込￥1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 80 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 2A， 40V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB) ショットキーSTMicro￥389税込￥428
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 ： 2A●ピーク逆繰返し電圧 ： 40V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 75A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， 2A， 150V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) ショットキーSTMicro￥84,980税込￥93,478
1セット(5000個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DO-214AC (SMA)●最大連続 順方向電流 ： 2A●ピーク逆繰返し電圧 ： 150V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 75A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 5.2 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 1.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
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仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 75 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 11 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●トランジスタ素材 ： Simm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ， 整流ダイオード， コモンカソード， 80A， 170V スルーホール， 3-Pin TO-247 ショットキーSTMicro￥689税込￥758
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仕様●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-247●最大連続 順方向電流 ： 80A●ピーク逆繰返し電圧 ： 170V●ダイオード構成 ： コモンカソード●整流タイプ ： ショットキー整流器●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●ダイオードテクノロジー ： ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 500A●STMicroelectronics ショットキーバリアダイオード 40 → 240 A. この高電圧ショットキー整流器は、高周波スイッチング電源に適しています。 このデバイスはISOTOPに収められ、二次整流に使用されます。. 特長. ；ul＞ ；li＞無視できるほど低いスイッチング損失 ；/li＞ ；li＞アバランシェ定格 ；/li＞ ；li＞低漏洩電流 ；/li＞ ；li＞漏洩電流と順方向電圧降下の良好なトレードオフ ；/li＞ ；li＞絶縁パッケージ ISOTOP： ；/li＞ ；/ul＞ 絶縁電圧： 2500 VRMS 静電容量：45 pFRoHS指令(10物質対応)対応
