1個
¥889
税込¥978
7日以内出荷
長さ(mm)10.4
幅(mm)4.6
高さ(mm)9.15
タイプ【パッケージ】TO-220
シリーズSTripFETII
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)80
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6.5
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20,+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ142nC@10V
最大パワー消費300W
最大動作温度(℃)175
最小動作温度(℃)-55
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
1個
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ : SOIC●ディスプレイタイプ : LED●最大クロック周波数 : 30MHz●供給電圧 : 5 V、9 V、12 V、15 V、18 V、24 V●セグメント数 : 16●最大供給電流 : 11.7mA●動作温度 Min : -40℃●実装タイプ : 表面実装℃●幅 : 7.6mm●高さ : 2.45mm●長さ : 15.6mm●LEDアレイドライバ、STMicroelectronics. このLEDアレイドライバは、定電流制御と、高輝度LEDの駆動に必要なすべての機能を搭載しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥649
税込¥714
7日以内出荷
パッケージタイプ = TSSOP。ディスプレイタイプ = LED。ピン数 = 16。供給電圧 = 2.5 V、3.3 V、5 V。最大供給電流 = (Off, On) 13.5mA。動作温度 Min = -40℃。実装タイプ = 表面実装℃。幅 = 4.5mm。高さ = 1.05mm。長さ = 5.4mm。最小3 Vの低電圧電源 定電流出力チャンネル x 8 外部抵抗から出力電流を調整可能 短絡 / 開回路出力エラー検出 シリアルデータ入力 / パラレルデータ出力 3.3 V マイクロドライバに対応 出力電流: 5-100 mA クロック周波数: 30 MHz 熱効率の高い TSSOP 露出パッドで提供されます
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,098
税込¥1,208
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ : SO●ディスプレイタイプ : LED●ピン数 : 24●供給電圧 : 2.7 → 5.5 V●最大供給電流 : (Off) 13.5 mA, (On) 15mA●動作温度 Min : -40℃●実装タイプ : 表面実装℃●幅 : 7.6mm●高さ : 2.35mm●長さ : 15.6mm●STP16CPC26 は、モノリシックの低電圧 16 ビット定電流 LED シンクドライバです。このデバイスには、 16 ビットシフトレジスタとデータラッチがあり、シリアル入力データをパラレル出力形式に変換します。出力段では、 16 個の調整型電流ジェネレータが 5 → 90 mA の定電流を供給して LED を駆動します。電流は抵抗器を介して外部で調整されます。LED の輝度は、 OE ピンを使用して 0 → 100 % に調整できます。 STP16CPC26 では、 20 V の駆動機能が保証されているため、各電流源により多くの LED を直列接続することができます。 30 MHz の高いクロック周波数により、このデバイスは高データレート伝送に適しています。 サーマルシャットダウン(約 15 ° C のヒステリシスで 170 ° C )により、過熱事象に対する保護を保証します。 STP16CPC26 は、 QSOP24 、 SO-24 、 TSSOP-24 、 HTSSOP-24 (露出パッド付き)の 4 つのパッケージに収容されています。定電流出力チャンネル x 16 外部抵抗から出力電流を調整可能 出力電流: 5 → 90 mA ビット間の標準電流精度: ± 1 % 最大クロック周波数: 30MHz 発電機定格電圧: 20 V 3 → 5.5 V の電源 過熱保護のためのサーマルシャットダウン
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥219
税込¥241
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ : TSSOP●ディスプレイタイプ : LED●ピン数 : 16●供給電圧 : 4 → 6 V●最大供給電流 : (Off, On) 13.5mA●動作温度 Min : -40℃●実装タイプ : 表面実装℃●幅 : 4.5mm●高さ : 1.05mm●長さ : 5.4mm●最小3 Vの低電圧電源 定電流出力チャンネル x 8 外部抵抗から出力電流を調整可能 短絡 / 開回路出力エラー検出 シリアルデータ入力 / パラレルデータ出力 3.3 V マイクロドライバに対応 出力電流: 5-100 mA クロック周波数: 30 MHz 熱効率の高い TSSOP 露出パッドで提供されます ESD 保護: 2.5 kV HBM 、 200 V MM
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥219
税込¥241
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 1500 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 9 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥27,980
税込¥30,778
7日以内出荷
仕様●最大スイッチング周波数 : 4 MHz●コントロール方法 : 電流, 電圧●実装タイプ : 表面実装●上昇時間 : 3ns●ピン数 : 32●最大デューティサイクル : 60%●長さ : 5.15mm●幅 : 5.15mm●高さ : 0.95mm●動作温度 Min : -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,498
税込¥2,748
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AC●最大連続 順方向電流 : 7.5A●ピーク逆繰返し電圧 : 45V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 150A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥4,398
税込¥4,838
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥13,980
税込¥15,378
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ω。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 70 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。高さ 9.15mm。NチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥7,298
税込¥8,028
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 45 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 115 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●動作温度 Max : +175 ℃●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥8,598
税込¥9,458
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 90 W標準ターンオフ遅延時間 = 19 nsNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,598
税込¥1,758
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 850 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥14,980
税込¥16,478
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,898
税込¥2,088
翌々日出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥7,198
税込¥7,918
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AC●最大連続 順方向電流 : 15A●ピーク逆繰返し電圧 : 45V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 220A●ショットキーバリアダイオード、10 A → 16 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥4,998
税込¥5,498
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 30V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 75A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥439
税込¥483
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220FPAC●最大連続 順方向電流 : 7.5A●ピーク逆繰返し電圧 : 45V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 150A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥599
税込¥659
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AC (SMA)●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 150V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 75A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 : 2A●ピーク逆繰返し電圧 : 25V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 75A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥529
税込¥582
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,898
税込¥2,088
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 85 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥569
税込¥626
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 28 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥9,998
税込¥10,998
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 315 pF @ 25 VNチャンネルSTripFETΩ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 3.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 80 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 1.8 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥16,980
税込¥18,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥14,980
税込¥16,478
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 11 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥16,980
税込¥18,678
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 100A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥55,980
税込¥61,578
7日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 : 2A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 75A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥549
税込¥604
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AC (SMA)●最大連続 順方向電流 : 2A●ピーク逆繰返し電圧 : 150V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 75A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
¥78,980
税込¥86,878
7日以内出荷
仕様最大連続 順方向電流 = 3A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 7.15mm幅 = 6.25mm高さ = 2.45mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 75Aショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥499
税込¥549
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AA (SMB)●最大連続 順方向電流 : 1A●ピーク逆繰返し電圧 : 40V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 60A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度
仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOD-123●最大連続 順方向電流 : 500mA●ピーク逆繰返し電圧 : 20V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 5.5A●ショットキーバリアダイオード、最大1 A、STMicroelectronics. 高出力、高効率、高密度
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥469
税込¥516
5日以内出荷
仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-15●最大連続 順方向電流 : 3A●ピーク逆繰返し電圧 : 60V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキー●直径 : 3.53mm●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 100A●ショットキーバリアダイオード、2 A → 9 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(1000個)
¥24,980
税込¥27,478
欠品中
タイプ【パッケージ】DO-214AC(SMA)
ピン数(ピン)2
ダイオードシングル
整流方式ショットキー整流器
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
ピーク逆繰返し電圧(V)30
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)75
テクノロジー【ダイオード】ショットキー
最大連続順方向電流(A)1
1袋(5個)
¥329
税込¥362
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 6.5 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥9,998
税込¥10,998
7日以内出荷
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