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エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(18)
「tp-6」の検索結果
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 60 A， 3 ピン パッケージTO-220STMicro￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルSTripFETΩ II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
M95256-WMN6TPSTMicro￥489税込￥538
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様(ランダムアクセス時間)60ns寸法(mm)4.9×3.9×1.25タイプ【パッケージ】SOIC規格【自動車】AEC-Q100電圧(V)【プログラミング】2.5→5.5構成32Kx8ビットインターフェースシリアル-SPIメモリー256kbitピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応データ保持200年実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)【最小】2.5V【最大】5.5V1ワード当たりのビット数8ワード数32k最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
M95512-WMN6TPSTMicro￥2,598税込￥2,858
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様(ランダムアクセス時間)40ns寸法(mm)5×4×1.5タイプ【パッケージ】SO規格【自動車】AEC-Q100電圧(V)【プログラミング】2.5→5.5構成65536Kx8ビットインターフェースシリアル-SPIメモリー512kbitピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応データ保持200年実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)【最小】2.5V【最大】5.5V1ワード当たりのビット数8ワード数65536最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 140 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro￥6,198～税込￥6,818～
1セット(50個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro￥11,980税込￥13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
M24C02-WMN6TPSTMicro￥519税込￥571
1袋(25個)
5日以内出荷
仕様(ランダムアクセス時間)900ns寸法(mm)4.9×3.9×1.25タイプ【パッケージ】SOIC規格【自動車】AEC-Q100電圧(V)【プログラミング】2.5→5.5構成256x8ビットインターフェースシリアル-I2Cメモリー2kbitピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応データ保持200年実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)【最小】2.5V【最大】5.5V1ワード当たりのビット数8ワード数256最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
M24C02-RDW6TPSTMicro￥539税込￥593
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様(ランダムアクセス時間)900ns寸法(mm)3×4.4×1タイプ【パッケージ】TSSOP規格【自動車】AEC-Q100電圧(V)【プログラミング】1.8→5.5構成256x8ビットインターフェースシリアル-I2Cメモリー2kbitピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応データ保持200年実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)【最小】1.8V【最大】5.5V1ワード当たりのビット数8ワード数256最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
M93C66-WMN6TPSTMicro￥699税込￥769
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7日以内出荷
仕様(ランダムアクセス時間)200ns寸法(mm)4.9×3.9×1.25タイプ【パッケージ】SOIC規格【自動車】AEC-Q100電圧(V)【プログラミング】2.5→5.5構成256x16ビット、512x8ビットインターフェースシリアル-マイクロワイヤーメモリー4kbitピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応データ保持200年実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)【最小】2.5V【最大】5.5V1ワード当たりのビット数8，16ワード数256512最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
M93C46-WMN6TPSTMicro￥629税込￥692
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様(ランダムアクセス時間)200ns寸法(mm)4.9×3.9×1.25タイプ【パッケージ】SOIC規格【自動車】AEC-Q100電圧(V)【プログラミング】2.5→5.5構成128x8ビット、64x16ビットインターフェースシリアル-マイクロワイヤーメモリー1kbitピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応データ保持200年実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)【最小】2.5V【最大】5.5V1ワード当たりのビット数8，16ワード数128，64最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40
STマイクロエレクトロニクス， シリアルEEPROMメモリ 64kbitSTMicro￥589税込￥648
1袋(10個)
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仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作温度 Max = +85 ℃EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス， シリアルEEPROMメモリ 1MbitSTMicro￥1,298税込￥1,428
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仕様メモリサイズ = 1Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 131072 x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 V1ワード当たりのビット数 = 8bit長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.25mm寸法 = 5 x 4 x 1.25mm動作温度 Max = +85 ℃EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス， シリアルEEPROM 2kbit シリアル-I2C AEC-Q100STMicro￥519税込￥571
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仕様●メモリサイズ： 2kbit●インターフェースタイプ： シリアル-I2C●パッケージタイプ： SOIC●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 8●構成： 256×8ビット●動作供給電圧 Min： 2.5 V●動作供給電圧 Max： 5.5 V●プログラミング電圧： 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数： 8bit●寸法： 4.9×3.9×1.25mm●ワード数： 256年●EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス， シリアルEEPROMメモリ 256kbitSTMicro￥489税込￥538
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7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmデータ保持 = 40年EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス， シリアルEEPROMメモリ 2MbitSTMicro￥2,498税込￥2,748
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbitインターフェースタイプ = シリアルパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 256 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 V1ワード当たりのビット数 = 8bit長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.25mm寸法 = 5 x 4 x 1.25mmデータ保持 = 200年EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス， シリアルEEPROMメモリ 2kbitSTMicro￥519税込￥571
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 256 x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作温度 Max = +85 ℃EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応RoHS指令(10物質対応)対応
