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STW4N150STMicro

￥1,198税込￥1,318

1個

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RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 45 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥2,198税込￥2,418

1個

5日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 45 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 100 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 417 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 5.15mm●動作温度 Min ： -65 ℃●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1500 V 4 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥23,980税込￥26,378

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 7 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 160 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル 800 V → 1500 V MDmesh(TM)RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFET， 600 V， 45 A， 3 ピンパッケージTO-247 MDmesh シリーズSTMicro

￥1,598税込￥1,758

1個

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 45 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 3800 pF @ 25 VNチャンネルMDmeshΩ、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STW45NM50STMicro

￥2,198税込￥2,418

1個

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 39 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥21,980税込￥24,178

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 70 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 255 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 124 nC @ 10 Vmm●高さ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥33,980税込￥37,378

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 650 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 79 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 190 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●長さ： 15.75mm●高さ： 20.15mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETSTMicro(1件のレビュー)

￥999～税込￥1,099～

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