「v2-m3」の検索結果

ファミリー名 = STM32F1パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 128 kB最大周波数 = 72MHzRAMサイズ = 64 kBUSBチャンネル = 1 x OTGPWMユニット数 = 1 x 16 bitSPIチャンネル数 = 3標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V幅 = 14.2mmSTM32F105/107シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. Cortex M3コアを搭載したSTMicroelectronics STM32F105/107 プロセッサは、最大72 MHzで動作します。 STM32シリーズは、ARMベースの32ビットMCU、16ビットタイマ、CAN、ADC、USB 2.0フルスピードインターフェイス / OTG、イーサネットMAC及び通信インターフェイス(I ；sup>；2 ；/sup>；C、SPI、UART)で構成されています。 STM32 ARM Cortex-M3 32ビットフラッシュマイクロコントローラは、低電圧、低消費電力で動作し、リアルタイム機能を発揮します。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、3つの異なるパッケージを用意しています。 これらの組み込みデバイスは、モータドライブ、プリンタ、スキャナ、アラームなどの用途、及び産業用途で機能します。. ARMのCortexインテリジェントプロセッサ 使用温度範囲: -40 → +85 ℃ 電源: 2 → 3.6 V フラッシュメモリ: 最大256 Kb SRAM: 最大64 Kb 省電力モードのセット

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 30 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 16.4mmNチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 15.75mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

ファミリー名 = STM32F1パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 768 kB最大周波数 = 72MHzRAMサイズ = 96 kBUSBチャンネル = 1PWMユニット数 = 12 x 16 bitSPIチャンネル数 = 3標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V幅 = 14.2mmSTM32F103シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsデバイス STM32F103 Cortex-M3コア、処理速度72 MHzのCPU及び最大1 MBのフラッシュを搭載 モータ制御周辺機器、CAN及びUSBフルスピードインターフェイスで構成 STM32シリーズARM Cortex-M3 32ビットのフラッシュマイクロコントローラは、低消費電力、低電圧で動作し、優れた性能とリアルタイム機能を発揮します。 組み込み用途向けに多様なパッケージタイプを用意しています。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、モータドライブ、PCやゲーム、HVACを含む用途、及び産業用途で機能します。. 32ビットRISC ピン配列ソフトウェア互換 SRAM最大96 Kb フラッシュ最大1 MB 電源: 2 → 3.6 V 使用温度範囲: -40 → +85 ℃又は-40 → +105 ℃