仕様●出力電流 Max : 1.5A●出力電圧 : 3.3 V●ラインレギュレーション : 6 mV●精度 : ±1%●実装タイプ : 表面実装●静止電流 : 10mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.4×9.35×4.6mm●高さ : 4.6mm●幅 : 9.35mm●リニア電圧レギュレータ、1.5 A、STMicroelectronics. L78シリーズの3端子正電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウンの機能を備えています。 ヒートシンクの性能が十分に高く、1 Aを超える電流を出力できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥129,800
税込¥142,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 100 V。パッケージタイプ D2PAK (TO-263)。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 312 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥349,800
税込¥384,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 120 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 300 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥13,980
税込¥15,378
7日以内出荷
ファミリー名 = STM32F1。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M3。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 128 kB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 64 kB。USBチャンネル = 1 x OTG。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V。幅 = 14.2mm。STM32F105/107シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. Cortex M3コアを搭載したSTMicroelectronics STM32F105/107 プロセッサは、最大72 MHzで動作します。 STM32シリーズは、ARMベースの32ビットMCU、16ビットタイマ、CAN、ADC、USB 2.0フルスピードインターフェイス / OTG、イーサネットMAC及び通信インターフェイス(I ;sup>2 ;/sup>C、SPI、UART)で構成されています。 STM32 ARM Cortex-M3 32ビットフラッシュマイクロコントローラは、低電圧、低消費電力で動作し、リアルタイム機能を発揮します。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、3つの異なるパッケージを用意しています。 これらの組み込みデバイスは、モータドライブ、プリンタ、スキャナ、アラームなどの用途、及び産業用途で機能します。. ARMのCortexインテリジェントプロセッサ 使用温度範囲: -40 → +85 ℃ 電源: 2 → 3.6 V フラッシュメモリ: 最大256 Kb SRAM: 最大64 Kb 省電力モードのセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
¥88,980
税込¥97,878
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。シリーズ STripFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,898
税込¥2,088
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 200 V。パッケージタイプ TO-220。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 75 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 10.4mm。動作温度 Min -65 ℃mm。NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥6,498
税込¥7,148
5日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 17 A。最大ドレイン-ソース間電圧 650 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 30 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。幅 4.6mm。動作温度 Min -55 ℃mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥549
税込¥604
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 35 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 16.4mm。NチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥26,980
税込¥29,678
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 13 A。最大ドレイン-ソース間電圧 600 V。シリーズ MDmesh。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V。幅 4.6mm。高さ 15.75mm。NチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥11,980
税込¥13,178
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 80 A。最大ドレイン-ソース間電圧 55 V。シリーズ STripFET F3。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4V。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 110 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V。長さ 6.6mm。高さ 2.4mm。NチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥569,800
税込¥626,780
7日以内出荷
ファミリー名 = STM32F1。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M3。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 768 kB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 96 kB。USBチャンネル = 1。PWMユニット数 = 12 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 3。標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V。幅 = 14.2mm。STM32F103シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsデバイス STM32F103 Cortex-M3コア、処理速度72 MHzのCPU及び最大1 MBのフラッシュを搭載 モータ制御周辺機器、CAN及びUSBフルスピードインターフェイスで構成 STM32シリーズARM Cortex-M3 32ビットのフラッシュマイクロコントローラは、低消費電力、低電圧で動作し、優れた性能とリアルタイム機能を発揮します。 組み込み用途向けに多様なパッケージタイプを用意しています。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、モータドライブ、PCやゲーム、HVACを含む用途、及び産業用途で機能します。. 32ビットRISC ピン配列ソフトウェア互換 SRAM最大96 Kb フラッシュ最大1 MB 電源: 2 → 3.6 V 使用温度範囲: -40 → +85 ℃又は-40 → +105 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
¥129,800
税込¥142,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 62 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 33 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥12,980
税込¥14,278
欠品中
ファミリー名 = STM32F1。パッケージタイプ = LQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 100。デバイスコア = ARM Cortex M3。データバス幅 = 32bit。プログラムメモリサイズ = 128 kB。最大周波数 = 72MHz。RAMサイズ = 20 kB。USBチャンネル = 1 x デバイス。PWMユニット数 = 1 x 16 bit。SPIチャンネル数 = 2。標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V。幅 = 14.2mm。STM32F103シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsデバイス STM32F103 Cortex-M3コア、処理速度72 MHzのCPU及び最大1 MBのフラッシュを搭載 モータ制御周辺機器、CAN及びUSBフルスピードインターフェイスで構成 STM32シリーズARM Cortex-M3 32ビットのフラッシュマイクロコントローラは、低消費電力、低電圧で動作し、優れた性能とリアルタイム機能を発揮します。 組み込み用途向けに多様なパッケージタイプを用意しています。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、モータドライブ、PCやゲーム、HVACを含む用途、及び産業用途で機能します。. 32ビットRISC ピン配列ソフトウェア互換 SRAM最大96 Kb フラッシュ最大1 MB 電源: 2 → 3.6 V 使用温度範囲: -40 → +85 ℃又は-40 → +105 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
¥79,980
税込¥87,978
7日以内出荷
仕様●ファミリー名 : STM32F1●パッケージタイプ : LQFP●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 64●デバイスコア : ARM Cortex M3●データバス幅 : 32bit●プログラムメモリサイズ : 256 kB●最大周波数 : 72MHz●RAMサイズ : 64 kB●USBチャンネル : 1 x OTG●PWMユニット数 : 1×16 bit●SPIチャンネル数 : 3●標準動作供給電圧 : 2 → 3.6 V●PCIチャンネル数 : 0mm●STM32F105/107シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. Cortex M3コアを搭載したSTMicroelectronics STM32F105/107 プロセッサは、最大72 MHzで動作します。 STM32シリーズは、ARMベースの32ビットMCU、16ビットタイマ、CAN、ADC、USB 2.0フルスピードインターフェイス / OTG、イーサネットMAC及び通信インターフェイス(I 2 C、SPI、UART)で構成されています。 STM32 ARM Cortex-M3 32ビットフラッシュマイクロコントローラは、低電圧、低消費電力で動作し、リアルタイム機能を発揮します。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、3つの異なるパッケージを用意しています。 これらの組み込みデバイスは、モータドライブ、プリンタ、スキャナ、アラームなどの用途、及び産業用途で機能します。. ARMのCortexインテリジェントプロセッサ 使用温度範囲: -40 → +85 ℃ 電源: 2 → 3.6 V フラッシュメモリ: 最大256 Kb SRAM: 最大64 Kb 省電力モードのセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(160個)
¥189,800
税込¥208,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 45 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 115 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●動作温度 Max : +175 ℃●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥8,598
税込¥9,458
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥31,980
税込¥35,178
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 200 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 400 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥6,498
税込¥7,148
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 250 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥469
税込¥516
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 12 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 320 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥439
税込¥483
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 85 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥569
税込¥626
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 28 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥9,998
税込¥10,998
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥25,980
税込¥28,578
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,298
税込¥2,528
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥229,800
税込¥252,780
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥46,980
税込¥51,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 84 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,898
税込¥2,088
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 745 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 17.4 nC @ 10 Vmm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,398
税込¥2,638
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 255 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 124 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥22,980
税込¥25,278
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
1セット(50個)
¥8,998
税込¥9,898
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 11 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥16,980
税込¥18,678
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 45 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥16,980
税込¥18,678
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥7,198
税込¥7,918
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 8 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 310 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥19,980
税込¥21,978
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥179,800
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RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 10.5 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 312 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
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