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STMicroelectronics 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 3.3 V, 3-Pin, LD1086D2M33TR STMicroSTMicroelectronics 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 3.3 V, 3-Pin, LD1086D2M33TRSTMicro
119,800税込131,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max : 1.5A●出力電圧 : 3.3 V●ラインレギュレーション : 6 mV●精度 : ±1%●実装タイプ : 表面実装●静止電流 : 10mA●ピン数 : 3●出力タイプ : 固定●寸法 : 10.4×9.35×4.6mm●高さ : 4.6mm●幅 : 9.35mm●リニア電圧レギュレータ、1.5 A、STMicroelectronics. L78シリーズの3端子正電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウンの機能を備えています。 ヒートシンクの性能が十分に高く、1 Aを超える電流を出力できます。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
6,698税込7,368
1セット(50個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro
329,800税込362,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
1,698税込1,868
1袋(5個)
欠品中
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET120 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
11,980税込13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics マイコン STM32F1, 100-Pin LQFP STM32F107VBT6 STMicroSTMicroelectronics マイコン STM32F1, 100-Pin LQFP STM32F107VBT6STMicro
92,980税込102,278
1セット(90個)
7日以内出荷
ファミリー名 = STM32F1パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 128 kB最大周波数 = 72MHzRAMサイズ = 64 kBUSBチャンネル = 1 x OTGPWMユニット数 = 1 x 16 bitSPIチャンネル数 = 3標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V幅 = 14.2mmSTM32F105/107シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. Cortex M3コアを搭載したSTMicroelectronics STM32F105/107 プロセッサは、最大72 MHzで動作します。 STM32シリーズは、ARMベースの32ビットMCU、16ビットタイマ、CAN、ADC、USB 2.0フルスピードインターフェイス / OTG、イーサネットMAC及び通信インターフェイス(I ;sup>;2 ;/sup>;C、SPI、UART)で構成されています。 STM32 ARM Cortex-M3 32ビットフラッシュマイクロコントローラは、低電圧、低消費電力で動作し、リアルタイム機能を発揮します。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、3つの異なるパッケージを用意しています。 これらの組み込みデバイスは、モータドライブ、プリンタ、スキャナ、アラームなどの用途、及び産業用途で機能します。. ARMのCortexインテリジェントプロセッサ 使用温度範囲: -40 → +85 ℃ 電源: 2 → 3.6 V フラッシュメモリ: 最大256 Kb SRAM: 最大64 Kb 省電力モードのセット
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 17 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 17 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
589税込648
1個
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 30 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
29,980税込32,978
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V幅 4.6mm高さ 16.4mmNチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 13 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 13 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
9,998税込10,998
1セット(50個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V, +25 V幅 4.6mm高さ 15.75mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET55 V 80 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET55 V 80 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro
589,800税込648,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics マイコン STM32F1, 100-Pin LQFP STM32F103VFT6 STMicroSTMicroelectronics マイコン STM32F1, 100-Pin LQFP STM32F103VFT6STMicro
139,800税込153,780
1セット(90個)
7日以内出荷
ファミリー名 = STM32F1パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 768 kB最大周波数 = 72MHzRAMサイズ = 96 kBUSBチャンネル = 1PWMユニット数 = 12 x 16 bitSPIチャンネル数 = 3標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V幅 = 14.2mmSTM32F103シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsデバイス STM32F103 Cortex-M3コア、処理速度72 MHzのCPU及び最大1 MBのフラッシュを搭載 モータ制御周辺機器、CAN及びUSBフルスピードインターフェイスで構成 STM32シリーズARM Cortex-M3 32ビットのフラッシュマイクロコントローラは、低消費電力、低電圧で動作し、優れた性能とリアルタイム機能を発揮します。 組み込み用途向けに多様なパッケージタイプを用意しています。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、モータドライブ、PCやゲーム、HVACを含む用途、及び産業用途で機能します。. 32ビットRISC ピン配列ソフトウェア互換 SRAM最大96 Kb フラッシュ最大1 MB 電源: 2 → 3.6 V 使用温度範囲: -40 → +85 ℃又は-40 → +105 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics マイコン STM32F1, 100-Pin LQFP STM32F103VBT6 STMicroSTMicroelectronics マイコン STM32F1, 100-Pin LQFP STM32F103VBT6STMicro
82,980税込91,278
1セット(90個)
7日以内出荷
ファミリー名 = STM32F1パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 128 kB最大周波数 = 72MHzRAMサイズ = 20 kBUSBチャンネル = 1 x デバイスPWMユニット数 = 1 x 16 bitSPIチャンネル数 = 2標準動作供給電圧 = 2 → 3.6 V幅 = 14.2mmSTM32F103シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsデバイス STM32F103 Cortex-M3コア、処理速度72 MHzのCPU及び最大1 MBのフラッシュを搭載 モータ制御周辺機器、CAN及びUSBフルスピードインターフェイスで構成 STM32シリーズARM Cortex-M3 32ビットのフラッシュマイクロコントローラは、低消費電力、低電圧で動作し、優れた性能とリアルタイム機能を発揮します。 組み込み用途向けに多様なパッケージタイプを用意しています。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、モータドライブ、PCやゲーム、HVACを含む用途、及び産業用途で機能します。. 32ビットRISC ピン配列ソフトウェア互換 SRAM最大96 Kb フラッシュ最大1 MB 電源: 2 → 3.6 V 使用温度範囲: -40 → +85 ℃又は-40 → +105 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics マイコン STM32F1, 64-Pin LQFP STM32F107RCT7 STMicroSTMicroelectronics マイコン STM32F1, 64-Pin LQFP STM32F107RCT7STMicro
199,800税込219,780
1セット(160個)
7日以内出荷
仕様●ファミリー名 : STM32F1●パッケージタイプ : LQFP●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 64●デバイスコア : ARM Cortex M3●データバス幅 : 32bit●プログラムメモリサイズ : 256 kB●最大周波数 : 72MHz●RAMサイズ : 64 kB●USBチャンネル : 1 x OTG●PWMユニット数 : 1×16 bit●SPIチャンネル数 : 3●標準動作供給電圧 : 2 → 3.6 V●PCIチャンネル数 : 0mm●STM32F105/107シリーズマイクロコントローラ、STMicroelectronics. Cortex M3コアを搭載したSTMicroelectronics STM32F105/107 プロセッサは、最大72 MHzで動作します。 STM32シリーズは、ARMベースの32ビットMCU、16ビットタイマ、CAN、ADC、USB 2.0フルスピードインターフェイス / OTG、イーサネットMAC及び通信インターフェイス(I 2 C、SPI、UART)で構成されています。 STM32 ARM Cortex-M3 32ビットフラッシュマイクロコントローラは、低電圧、低消費電力で動作し、リアルタイム機能を発揮します。 MCUアーキテクチャは使いやすいSTM32プラットフォームを採用しており、3つの異なるパッケージを用意しています。 これらの組み込みデバイスは、モータドライブ、プリンタ、スキャナ、アラームなどの用途、及び産業用途で機能します。. ARMのCortexインテリジェントプロセッサ 使用温度範囲: -40 → +85 ℃ 電源: 2 → 3.6 V フラッシュメモリ: 最大256 Kb SRAM: 最大64 Kb 省電力モードのセットRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
6,698税込7,368
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 200 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 400 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 75 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
439税込483
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 250 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 12 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 12 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
419税込461
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 12 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 320 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
1,398税込1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 85 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 50 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 50 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
8,398税込9,238
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 28 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 35 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 35 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
6,798税込7,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 45 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 115 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●動作温度 Max : +175 ℃●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
37,980税込41,778
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 24 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 24 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro
249,800税込274,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 24 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 40 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 60 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
42,980税込47,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●動作温度 Max : +150 ℃●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
1,798税込1,978
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 29 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 105 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 210 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 84 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
21,980税込24,178
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
2,298税込2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 10 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 550 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 70 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 6.5 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 6.5 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
2,298税込2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 745 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 25 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 17.4 nC @ 10 Vmm●高さ : 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 39 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 39 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
21,980税込24,178
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 70 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 255 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 124 nC @ 10 Vmm●高さ : 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
12,980税込14,278
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 11 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●トランジスタ素材 : Simm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
8,298税込9,128
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET STMicroSTMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFETSTMicro
959税込1,055
1袋(10個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro
169,800税込186,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 110 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
6,198税込6,818
1セット(50個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
1,598税込1,758
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 10.5 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 312 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
15,980税込17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 15 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 45 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 120 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
16,980税込18,678
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 8 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 310 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro
959税込1,055
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 40 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 5 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics マイコン STM32F STMicroSTMicroelectronics マイコン STM32FSTMicro
749税込824
1個ほか
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