「3m 525」の検索結果

インダクタンス = 10 μH最大直流電流 = 4Aパッケージ/ケース = 2525長さ = 6.86mm奥行き = 6.47mm高さ = 3mm寸法 = 6.86 x 6.47 x 3mmシールド = あり許容差 = ±20%最大直流抵抗 = 71.2mΩシリーズ = IHLP-2525CZ-11コア材料 = 金属複合材最大自己共振周波数 = 1MHzインダクタ構造 = シールド付き℃IHLP2525CZ-11シリーズ磁気シールド付き巻線型チョーク. Vishay IHLP-2525CZ-11シリーズ高電流低プロファイルシールドインダクタ。 IHLP-2525CZ-11シリーズは、飽和なしで高いトランジェント電流スパイクを処理しており、コンポジット構造により極めて低い電磁騒音を実現します。. 周波数範囲は1.0 MHzまで 最低のDC抵抗 / μH(このパッケージサイズにて). 用途: PDA / ノートPC / デスクトップ / サーバデバイス、高電流POLコンバータ、低プロファイル、高電流電源、バッテリ駆動デバイス、分散したパワーシステムにおけるDC / DCコンバータ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)用のDC / DCコンバータなど

最大抵抗 = 5kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63M終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63M-T607ツマミ調整. 高さ10.41 mm

最大抵抗 = 10kΩ回転数 = 1取り付けタイプ = スルーホール定格電力 = 1/2Wシリーズ = 63S方位 = 上面調整終端スタイル = ピン長さ = 9.52mm奥行き = 4.83mm高さ = 10.03mm寸法 = 9.52 x 4.83 x 10.03mm許容差 = ±10%最大動作温度 = +125℃63S側面調整

最大抵抗 = 10kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63M終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63M上面調整

最大抵抗 = 1kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63M終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63M-T607ツマミ調整. 高さ10.41 mm

最大抵抗 = 20kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63M終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63M-T607ツマミ調整. 高さ10.41 mm

チャンネルタイプ P最大連続ドレイン電流 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vパッケージタイプ TO-252AA実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 28 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 -3V最低ゲートしきい値電圧 -1V最大パワー消費 113 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 6.73mm動作温度 Min -55 ℃mm

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.38mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 6.73mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 48.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 73.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm順方向ダイオード電圧 = 1.5VPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

インダクタンス = 1 μH最大直流電流 = 12Aパッケージ/ケース = 2525長さ = 6.7mm奥行き = 3mmシールド = あり許容差 = ± 20%シリーズ = IHLPインダクタ構造 = シールド付き

最大順方向電流 = 4A1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = TO-252AAピン数 = 3 + Tab最大ダイオードキャパシタンス = 17pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 6.73mm幅 = 6.22mm高さ = 2.26mm寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.26mm

静電容量 = 1500μF電圧 = 80V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 23 (Dia.) x 37mm高さ = 37mm動作温度 Min = -40℃直径 = 23mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 10mm許容差 = ±20%256シリーズ. MAL256シリーズの極性化アルミ電解コンデンサ、非固体電解質 アルミケースの上部圧力逃し弁 PET絶縁スリーブ. 有効寿命: +105 ℃で2000時間、+85 ℃では5000時間以上 電圧範囲: 16 → 100 V 用途: 一般用途、産業用途の標準及びスイッチモード電源、オーディオシステム、DC/DCコンバータ、通信、平滑化及びフィルタリング用途

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 1300Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 3μs直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150AVishay BY251P-BY255P汎用整流器. DO-201ADエポキシパッケージの Vishay BY251P-BY255P シリーズ汎用整流器。これらの3 A整流器では、スズリードの寸法が25.4 mm、本体の寸法が9.5 x 5.3 mm (直径)になっています。 特長と利点: 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 用途 BY251P-BY255P整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。これらの整流器は、汎用向けで、幅広い用途に適しています。 動作温度範囲 -55 → +150 ℃ ピーク逆反復電圧: BY251P - 200 V BY252P - 400 V BY253P - 600 V BY254P - 800 V BY255P - 1300 V