「3v500」の検索結果

静電容量 = 220μF。電圧 = 500V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 35 (Dia.) x 30mm。高さ = 30mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 35mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 10mm。許容差 = ±20%。193 シリーズ. アルミ電解コンデンサは、パワー超高リップル電流スナップイン式です. 長い有効寿命： 6000 時間 @ +105 ° C 500 V 、 50 ° C 動作向けの仕様です 高い信頼性 主な用途は、太陽光発電 PV インバータ、産業用モータ制御、電源などです

Vishay の 235 EDLC シリーズは、高極性蓄電コンデンサです 容量及びエネルギー密度。環境発電用途向けの電源バックアップ / 保管デバイスに使用されます。スルーホール(ラジアル)タイプを用意 高湿度動作向けの耐久性 メンテナンスフリー、保守点検不要

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 500mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 22 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 277 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 17 nC @ 10 Vmm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。チャンネルモード = エンハンスメント型。1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 179 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 170 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 6.3V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-21。等価直列抵抗 = 500mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.9mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 65A。高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm。高さ = 20.7mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 5kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 連続。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = 導電性プラスチック。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = タレット。シャフト長さ = 22.2mm。軸径 = 6.35 mm。許容差 = ±20%。Vishay モデル 357 ポテンショメータ. Vishayの357シリーズ精密ポテンショメータは一般的にオーディオ用途で使用されます。 357シリーズポテンショメータは、熱可塑樹脂ハウジングとステンレススチール製シャフトを備え、500万回のシャフト回転寿命を誇ります。. 特長と利点:. 導電性ポリマー素子 直線性公差 ± 1% 独立 絶縁抵抗： 1000 M Ω @ 500 V dc 電気的回転 340 ° ± 3 ° 動作トルク 3.68 mNm 取り付けブッシュ： O 9.5mm 、 L. 9.5mm 径 7/8 インチの単回転 コンパクトサイズ、 Advanced Design Technology ポテンショメータの要件に合ったコスト効率の高いソリューションを提供します あらゆる産業用途に適したモデル.

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = 導電性プラスチック。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = タレット。シャフト長さ = 22.2mm。軸径 = 6.35 mm。許容差 = ±20%。Vishay モデル 357 ポテンショメータ. Vishayの357シリーズ精密ポテンショメータは一般的にオーディオ用途で使用されます。 357シリーズポテンショメータは、熱可塑樹脂ハウジングとステンレススチール製シャフトを備え、500万回のシャフト回転寿命を誇ります。. 特長と利点:. 導電性ポリマー素子 直線性公差 ± 1% 独立 絶縁抵抗： 1000 M Ω @ 500 V dc 電気的回転 340 ° ± 3 ° 動作トルク 3.68 mNm 取り付けブッシュ： O 9.5mm 、 L. 9.5mm 径 7/8 インチの単回転 コンパクトサイズ、 Advanced Design Technology ポテンショメータの要件に合ったコスト効率の高いソリューションを提供します あらゆる産業用途に適したモデル.

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 連続。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = 導電性プラスチック。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = タレット。シャフト長さ = 22mm。軸径 = 6.35 mm。アクチュエータタイプ = 溝付きシャフト%。Vishay モデル 357 ポテンショメータ. Vishayの357シリーズ精密ポテンショメータは一般的にオーディオ用途で使用されます。 357シリーズポテンショメータは、熱可塑樹脂ハウジングとステンレススチール製シャフトを備え、500万回のシャフト回転寿命を誇ります。. 特長と利点:. 導電性ポリマー素子 直線性公差 ± 1% 独立 絶縁抵抗： 1000 M Ω @ 500 V dc 電気的回転 340 ° ± 3 ° 動作トルク 3.68 mNm 取り付けブッシュ： O 9.5mm 、 L. 9.5mm 径 7/8 インチの単回転 コンパクトサイズ、 Advanced Design Technology ポテンショメータの要件に合ったコスト効率の高いソリューションを提供します あらゆる産業用途に適したモデル.

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 20kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 連続。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = 導電性プラスチック。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = タレット。シャフト長さ = 22mm。軸径 = 6.35 mm。許容差 = ±20%。Vishay モデル 357 ポテンショメータ. Vishayの357シリーズ精密ポテンショメータは一般的にオーディオ用途で使用されます。 357シリーズポテンショメータは、熱可塑樹脂ハウジングとステンレススチール製シャフトを備え、500万回のシャフト回転寿命を誇ります。. 特長と利点:. 導電性ポリマー素子 直線性公差 ± 1% 独立 絶縁抵抗： 1000 M Ω @ 500 V dc 電気的回転 340 ° ± 3 ° 動作トルク 3.68 mNm 取り付けブッシュ： O 9.5mm 、 L. 9.5mm 径 7/8 インチの単回転 コンパクトサイズ、 Advanced Design Technology ポテンショメータの要件に合ったコスト効率の高いソリューションを提供します あらゆる産業用途に適したモデル.

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = 導電性プラスチック。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = タレット。シャフト長さ = 22.2mm。軸径 = 6.35 mm。許容差 = ±20%。Vishay モデル 357 ポテンショメータ. Vishayの357シリーズ精密ポテンショメータは一般的にオーディオ用途で使用されます。 357シリーズポテンショメータは、熱可塑樹脂ハウジングとステンレススチール製シャフトを備え、500万回のシャフト回転寿命を誇ります。. 特長と利点:. 導電性ポリマー素子 直線性公差 ± 1% 独立 絶縁抵抗： 1000 M Ω @ 500 V dc 電気的回転 340 ° ± 3 ° 動作トルク 3.68 mNm 取り付けブッシュ： O 9.5mm 、 L. 9.5mm 径 7/8 インチの単回転 コンパクトサイズ、 Advanced Design Technology ポテンショメータの要件に合ったコスト効率の高いソリューションを提供します あらゆる産業用途に適したモデル.

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1MΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 0.09W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 2.2kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 4.7kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = 表面実装。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±20%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 470kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 0.19W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。アクチュエータタイプ = 溝付きシャフト%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 10kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 3W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 50mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。マウントナットとロックワッシャ. シャフトの寸法測定値はブッシュを含む. Vishay IP67 等級軍事 / 業務用グレードポテンショメータ. Vishayは、高品質のポテンショメータの製品群を提供します。これらのポテンショメータは最高の製造品質を誇り、軍事用途や専門作業においても活躍できます。完全密閉型のボディでIP67等級に対応し、あらゆる場合での使用に最適です。これらのポテンショメータは、スルーホール取り付けタイプのサーメット素子を採用しています。. 特長：. ボディ：19.7 mm 70 ℃ で高い定格電力 優れた熱安定性 頑丈な構造で、ボディは完全密閉構造になっています。IP67等級 終端長さ： 0.11インチレセプタクル厚さ： 0.5 mm 接触抵抗の変動： 3 % 又は 3 Ω (いずれか大きい方) 絶縁抵抗： 105 mΩ @ 500 V dc 環境クラス： 55/125/56