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静電容量 = 4700μF電圧 = 200V dc実装タイプ = スクリューターミナルテクノロジー = アルミ電解寸法 = 65 (Dia.) x 105mm高さ = 105mm動作温度 Min = -40℃直径 = 65mm動作温度 Max = +85℃寿命 = 10000h許容差 = ±20%終端処理用のねじとワッシャが付属しています。. 102 PHR-STシリーズ. Vishayの101/102 PHR STシリーズのアルミコンデンサは、絶縁されたアルミケースに収められた非固体電解質から構成されています。 このコンデンサは、+85 ℃で最長15000時間の長寿命を誇り、低ESRを実現しています。. このアルミコンデンサに適した用途には、パルス電源、バッファリング、フィルタリング、無停電電源、モータドライブ、インバータ、トラクションシステムが含まれます。

静電容量 = 220μF電圧 = 400V dc実装タイプ = スナップインテクノロジー = アルミ電解寸法 = 25 (Dia.) x 40mm高さ = 40mm動作温度 Min = -25℃直径 = 25mm動作温度 Max = +85℃寿命 = 5000h許容差 = ±20%157シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 小型スナップイン高電圧コンデンサ 最大500 V 長い有効寿命: 5000時間 @ 85 ℃ 用途: 汎用、産業用及びオーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC-Wピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.8mm幅 = 28.8mmUL E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、VS-GBPC35xxWシリーズ、Vishay Semiconductor. 基板(PCB)実装又はシャーシ取り付けに最適 中心穴固定のコンパクトな構造 低熱抵抗 ワイヤリード構造

静電容量 = 47μF電圧 = 200V dcテクノロジー = アルミ電解寸法 = 12.5 x 20mm

静電容量 = 10μF電圧 = 200V dcテクノロジー = アルミ電解寸法 = 10 x 12mm

静電容量 = 100μF電圧 = 200V dc実装タイプ = スルーホールテクノロジー = アルミ電解寸法 = 16 x 20mm

ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 28.8mm幅 = 28.8mmUL E54214. Vishay GBPC25 シリーズブリッジダイオード. UL認証(ファイル番号：E54214 ) 一般的な3種類の端子：スナップオン、ラップアラウンド、基板取付 標準 IR：0.3 μA 以下 耐高サージ電流 低熱抵抗 はんだ耐熱性：最大温度 275 ℃(10秒)/JESD 22-B106 準拠. 代表的な用途 電源、家電製品、オフィス機器、産業オートメーション用途の AC/DC ブリッジ全波整流で汎用的に使用されます。. 機械データ ケース ：GBPC 、 GBPC-W 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合 ベース P/N-E4-RoHS 準拠・商用グレード 端子 ：ニッケルめっきファストンラグ、又は銀めっき ワイヤリード、J-STD-002 と JESD22-B102 準拠のはんだ付けに対応可能 配線リードを示す接尾辞「 W 」が追加されました (例：GBPC12005W )。 極性 ：マークされているように、プラス極リードは面取りコーナーに設置 締め付けトルク ：最大 20 in・lbs

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 620mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現