「AB3」の検索結果

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 67 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 88 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 17 nC @ 10 Vmm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vシリーズ = D Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 104 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 900mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 20nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 50Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2.5μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。