「EM」の検索結果

検出スペクトル = 可視光チャンネル数 = 1最大光電流 = 50μA最大暗電流 = 50nA半値幅感度角度 = ±60 °ピン数 = 3実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = 1206寸法 = 4 x 2 x 1.05mmコレクター電流 = 20mA感度スペクトルレンジ = 440 → 800 nmnm幅 = 2mmTEMT6000シリーズ周辺光センサ. Vishay SemiconductorsのTEMT6000シリーズの周辺光センサファミリです。NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージで構成されています。このコンパクトな表面実装(SMD)パッケージは、標準の1206フットプリントとなっています。TEMT6000は、可視光の影響を受けやすく、人間の眼の応答性に匹敵する製品です。TEMT6000周辺光センサに適した用途には、自動車、携帯電話、ノートブック、カメラ、ダッシュボードなどがあります。. TEMT6000周辺光センサの特長: 1206フットプリント 寸法: 4 x 2 x 1.05 mm 高感光性 ピーク感度: 570 nm 半輝度角度: 60 °

センサータイプ = 実際の人間の眼の反応に近い周辺光のスペクトラム感度ピーク波長 = 650 nm実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = OPLGAピン数 = 4寸法 = 2 x 1.25 x 1mm高さ = 1mmインターフェース = I2C長さ = 2mm動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2.5 VmmVishay Semiconductor VEML6040 、カラーセンサ(赤、緑、青、白. VEML6040カラーセンサは、赤(R)、緑(G)、青(B)、白(W)の光を感知し、フォトダイオード、アンプ、アナログ / デジタル回路をCMOSプロセスを使用したシングルチップに内蔵しています。カラーセンサを使用すると、エンドユーザーの目により快適に見えるように、バックライトの明るさと色温度を周囲の光源に合わせて調整できます。VEML6040は、FiltronTM技術を採用することにより、実際の人間の目の反応性に最も近い周辺光のスペクトル感度を実現します。VEML6040は、温度変化時に出力を安定化させるための優れた温度補償機能を備えています。VEML6040 の機能は、 I2C ( SMBus 互換)インターフェイスプロトコルのシンプルなコマンド形式を介して簡単に動作します。VEML6040 の動作電圧範囲は、 2.5 V ～ 3.6 V ですVEML6040 は、市場で最高の信頼性を実現した、鉛( Pb )フリーの 4 ピン OPLGA パッケージに収められています。. パッケージタイプ：表面実装 寸法( L ；font face="symbol">；´ ；/font>； W ；font face="symbol">；´ ；/font>； H ；font face="symbol">；´ ；/font>； mm )： 2.0 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 1.25 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 1.0 内蔵モジュール：カラーセンサ( RGBW )及び信号処理 IC FiltronTM 技術では、実際の人間の目の反応性に一致するスペクトルを提供します 低透過率(ダーク)レンズ設計をサポート 蛍光灯の点滅耐性 チャネルごとに 16 ビットの分解能を提供 (R， G， B， W) 最大検出範囲 (515.4 、 1031 、 2062 、 4124 、 8248 、または 16496) ルクス ( 最高感度 0.007865 lux / ステップ ) を選択可能 パッケージ： OPLGA 温度補償： -40 ℃ ～ +85 ℃ 低消費電力 I2C ( SMBus 互換)インターフェイス フロア寿命： 168 時間、 MSL 3 、 J-STD-020 準拠 出力タイプ： I2C バス 動作電圧： 2.5 V ～ 3.6 V. 用途. ハンドヘルドデバイス ノートブック コンシューマデバイス 産業及び機械用途

検出スペクトル = 赤外線ピーク感度波長 = 940nmパッケージタイプ = SMD実装タイプ = 表面実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si半値幅感度角度 = ± 15 °

検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 2.3μs標準上昇時間 = 2μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 7000μA最大暗電流 = 200nA半値幅感度角度 = 30°極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = サブミニチュア寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 730 → 1000 nmnm幅 = 2mmTEMT1000シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのこのファミリのシリコンNPNフォトトランジスタは、表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージ入りです。 黒色のプラスチックパッケージ入りで、ガルウィング(GW)、リバースガルウィング(RGW)、ヨーク、アキシャルなど、様々なリードタイプを用意しています。 この黒色のハウジングは、TEMT1000フォトトランジスタの昼光遮断フィルタとして機能します。 このフォトトランジスタに適した用途には、エンコーダ、カウンタ、フォトインタラプタ、昼光用途の赤外線検出器、及び電気コントロールや駆動回路の検出器としての使用などがあります。. TEMT1000シリーズの特長: TEMT1000、TEMT1020、TEMT1030、TEMT1040 サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 黒色プラスチック製ハウジング 各種リードタイプ 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

検出スペクトル = 赤外線， 可視光ピーク感度波長 = 940nm実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 430nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 100ns長さ = 5mm幅 = 4.24mm高さ = 1.12mm自動車規格 = AEC-Q101VTEMD5010シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5010シリーズのシリコンPINフォトダイオードです。小型表面実装(SMD)パッケージに収容されており、感知面積が7.5 mm2のチップを搭載しています。TEMD5010は、可視光と近赤外線をどちらも検知します。高速光検出器用途に最適です。. TEMD5010フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 高い放射感度 高感光性 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線ピーク感度波長 = 940nm増幅機能 = なしピン数 = 4ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 790nm最大検出波長 = 1050nm標準降下時間 = 100ns長さ = 5mm幅 = 5mm高さ = 1.12mm標準上昇時間 = 100nsTEMD51x0シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのこのファミリのPINフォトダイオードは、表面実装(SMD)上方監視パッケージに収納されています。 高速と高感度を実現し、870 → 950 nmの波長で動作します。 TEMD51x0シリーズに適した用途には、赤外線放射検出器、赤外線リモート制御、データ転送システムなどがあります。. TEMD51x0フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.25 x 1.12 各種の放射検出面積 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

センサータイプ = 周辺光実装タイプ = SMDピン数 = 4インターフェース = I2C

検出スペクトル = 赤外線， 紫外線， 可視光ピーク感度波長 = 940nm増幅機能 = なしピン数 = 4ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 350nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 40ns長さ = 5mm幅 = 5mm高さ = 1.12mm標準上昇時間 = 40nsTEMD5080シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5080シリーズは、青色光の感度を高めたPINフォトダイオードファミリです。透明エポキシの小型SMDパッケージに収容されています。このパッケージには、感知面積が7.7 mm2のチップが搭載されています。TEMD5080は、高速光検出器用途に最適です。. TEMD5080フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 青色光の感度を向上 高速な応答時間

Vishay のシリコン PIN フォトダイオードは、高速かつ高感度の PIN フォトダイオードです。検出面積が 0.42 mm2 の小型表面実装デバイス( SMD )で、Wavelength 830 又は 950 nm で動作する IR エミッタに適合する昼光遮断フィルタを備えています。放射検出面積： 0.42 mm2 動作温度範囲： -40 → +110 ℃

検出スペクトル = 赤外線チャンネル数 = 1最大光電流 = 9000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 30 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装寸法 = 2.3 x 2.3 x 2.77mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 790 → 970 nmnm高さ = 2.77mmVEMT2000 / VEMT2020シリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのVEMT2000 / VEMT2020シリーズは、シリコンNPNエピタキシャル平面フォトトランジスタファミリです。 これらの製品は、各種リードタイプの表面実装(SMD)サブミニチュアパッケージに収容されています。 VEMT2000及びVEMT2020は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収容されています。 VEMT2000及びVEMT2020フォトトランジスタに適した用途には、フォトインタラプタ、ミニチュアスイッチ、車載用途の検出器、カウンタ、エンコーダ、位置センサなどがあります。. VEMT2000 / VEMT2020フォトトランジスタの特長: サブミニチュアパッケージ 表面実装(SMD) 多様なリードタイプ: GW及びRGW 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 15 °

検出スペクトル = 赤外線ピーク感度波長 = 940nmパッケージタイプ = QFN増幅機能 = なしピン数 = 4ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 430nm標準降下時間 = 100ns長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 0.9mm標準上昇時間 = 100ns

Vishay のシリコン PIN フォトダイオードは、高速かつ高感度の PIN フォトダイオードです。検出面積が 0.42 mm2 の小型表面実装デバイス( SMD )です。放射検出面積： 0.42 mm2 動作温度範囲： -40 → +110 ℃

検出スペクトル = デイライトピーク感度波長 = 940nmパッケージタイプ = 5 x 4 x 0.9 mm実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4ダイオード材質 = Si半値幅感度角度 = ±65 °

検出スペクトル = 可視光チャンネル数 = 1最大光電流 = 39μA最大暗電流 = 50nA半値幅感度角度 = 120 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = 表面実装寸法 = 2 x 1.25 x 0.85mmコレクター電流 = 20mA感度スペクトルレンジ = 450 → 610 nmnm幅 = 1.25mmTEMT6200シリーズ周辺光センサ. TEMT6200周辺光センサの特長: 0805フットプリント 寸法: 2 x 1.25 x 0.85 mm 高感光性 近赤外線放射用の抑制フィルタ 半輝度角度: 60 °. Vishay SemiconductorのTEMT6200シリーズは周辺光センサのファミリです。 NPNエピタキシャル平面フォトトランジスタと透明なパッケージから構成されています。 TEMT6200は、標準の0805フットプリントの表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このデバイスは、人間の目と同様に可視光を感知します。 TEMT6200に適した用途には、車載センサや携帯電話 / ノートブック / タブレット / カメラ / ダッシュボードのディスプレイバックライトコントロールなどがあります。

ピーク平均順方向電流 = 35Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 28.8 x 28.8 x 7.62mm高さ = 7.62mmUL E54214. Vishay Semiconductor GBPC35シリーズ プッシュオン端子付きブリッジ整流器. 高電流：35 A 汎用、3極端子: プッシュオン / ラップアラウンド / はんだ ガラス不動態化チップジャンクション 低熱抵抗

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201AD最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A高性能ショットキー整流器、2 → 3 A、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductoのショットキー整流器製品です。 これらのダイオードは、順方向の電圧降下が非常に低く、スイッチング動作が非常に高速です。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短く、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

キャリアー周波数 = 38kHz最大伝送距離 = 45mピーク感度波長 = 950nm出力電流 = 5mAピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装寸法 = 5 x 4.8 x 6.95mm高さ = 6.95mm長さ = 5mm最大供給電圧 = 5.5V最小供給電圧 = 2.5V動作温度 Max = +85 ℃mmIRリモコンレシーバ、スルーホールパッケージ、Vishay Semiconductor. Vishay製のIRレシーバは、リモコン及び赤外線通信用途、赤外線コード学習機能 / リピータ、赤外線ライトバリア、赤外線近接センサに使用されます。 赤外線レシーバは、840 → 960 nmの波長範囲で動作します。. 高感度で長い伝送範囲 30 → 56 KHz(最大)キャリア周波数

ピーク平均順方向電流 = 3.5Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GSIB-5Sピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 950mVピーク逆電流 = 10μA長さ = 30mm幅 = 4.6mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

最大負荷電流 = 0.25 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 350 V最大電圧制御 = 1.5 Vターミナルタイプ = 表面実装出力装置 = MOSFET定格電圧範囲 = 350V ac寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm奥行き = 6.5mmオプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac最大電流変換率 = 320%標準降下時間 = 2μsシリーズ = SFHオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2パッケージタイプ = TO-247ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 16.4mm幅 = 5.16mm高さ = 21.3mm寸法 = 16.4 x 5.16 x 21.3mm超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 800mAピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-269AAピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 4.95mm幅 = 4.1mmUL、E54214. 基板表面実装用ブリッジ整流器、MBxSシリーズ、Vishay Semiconductor. 省スペースのSMTパッケージ 自動装着機に対応 基板(PCB)リフローはんだ付けに最適