「condor」の検索結果

ダイオード構成 = シングル<br />最大クランピング電圧 = 48.4V<br />最小ブレークダウン電圧 = 33.3V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 30V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 12.4A<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm<br />幅 = 3.94mm<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向<br />最大クランピング電圧 = 28.8V<br />最小ブレークダウン電圧 = 17.8V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 16V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 20.8A<br />ESD保護 = あり<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />動作温度 Max = +150 ℃mm<br />幅 = 3.94mm<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向<br />最大クランピング電圧 = 38.9V<br />最小ブレークダウン電圧 = 26.7V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 24V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 15.4A<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />動作温度 Max = +150 ℃mm<br />高さ = 2.24mm<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向<br />最大クランピング電圧 = 53.5V<br />最小ブレークダウン電圧 = 33.3V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 30V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 11.2A<br />ESD保護 = あり<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />動作温度 Max = +150 ℃mm<br />幅 = 3.94mm<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向<br />最大クランピング電圧 = 77.4V<br />最小ブレークダウン電圧 = 53.3V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 48V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 7.8A<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />動作温度 Max = +150 ℃mm<br />高さ = 2.24mm<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル<br />最大クランピング電圧 = 12.9V<br />最小ブレークダウン電圧 = 8.33V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 46.5A<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm<br />幅 = 3.94mm<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向<br />最大クランピング電圧 = 58.1V<br />最小ブレークダウン電圧 = 40V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 36V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 10.3A<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />動作温度 Max = +150 ℃mm<br />幅 = 3.94mm<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル<br />最大クランピング電圧 = 9.2V<br />最小ブレークダウン電圧 = 6.4V<br />実装タイプ = 表面実装<br />パッケージタイプ = DO-215AA<br />最大逆スタンドオフ電圧 = 5V<br />ピン数 = 2<br />ピークパルスパワー消費 = 600W<br />最大ピークパルス電流 = 65.2A<br />1チップ当たりのエレメント数 = 1<br />動作温度 Min = -55 ℃<br />寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mm<br />テスト電流 = 10mA<br />TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗