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ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲： 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 300 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲： 0.3 → 900 KO E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 14.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 3.8mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力800W@85℃(下部ケース温度)。広い抵抗範囲：0.3900kへのか。か。E24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 9.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲： 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付ける Vishay の電力抵抗器で、NF-EN45545-2 の要件 #26 に準拠しています。高出力 800 W @ 85 ℃ (下部ケース温度)。広い抵抗範囲： 0.3 900 k へのか。か。E24 シリーズ無誘導 取り付けが簡単 ケースの低熱放射

ヒートシンク厚膜技術に取り付けるVishayの電力抵抗器で、NF-EN45545-2の要件#26に準拠しています。高出力300W@85℃(下部ケース温度)。幅広い抵抗範囲：0.3→900KOE24シリーズ無誘導取り付けが簡単ケースの低熱放射