「emo」の検索結果

最大負荷電流 = 0.25 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 350 V最大電圧制御 = 1.5 Vターミナルタイプ = 表面実装出力装置 = MOSFET定格電圧範囲 = 350V ac寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm奥行き = 6.5mmオプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SMD入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = VOオプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vシリーズ = E Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 357 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアTMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 15.87mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors，MoldedCase，ExtendedRangeSmallsize，suitableforhighdensitypackagingTerminations:100%mattetinAPPLICATIONSIndustrialAVequipmentGeneralpurpose

ThedomelensSMDLEDserieshasbeendesignedinasmalluntintedandclearmoldedpackagewithlensforsurfacemountingasgullwingorreversegullwingversionTheVLD.1232.seriesisusingrecentultrabrightInGaN/sapphirechiptechnologywithhighluminousflux.UtilizinglatestadvancedInGaNtechnologyPackagetype:surface-mountPackageform:gullwing，reversegullwingAPPLICATIONSTrafficsignalsandsignsInteriorandexteriorlightingSmokedetectors

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3 W、3.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.78 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SC-89-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 22 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 277 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 17 nC @ 10 Vmm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 15.87mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 9.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 29 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 37 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.63mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 3.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vシリーズ = D Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 104 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor