「f3-50」の検索結果

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 10μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2917。Vishay TR3シリーズ. Vishay TR3シリーズTantamountRソリッドタンタルチップコンデンサは、低ESR及び高リプル電流通過能力を誇るモールドケースコンデンサです。 TR3 TantamontRシリーズは、静電容量や定格電圧が幅広く、さまざまな用途に適しています。. 低ESR 高温定格 高リプル電流通過能力

抵抗 = 1kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +150℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 50Ω。定格電力 = 30W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO30。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 5Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 1Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 47Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±1%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = LTO50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整

静電容量 = 3300μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 23 (Dia.) x 32mm。高さ = 32mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 23mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 10mm。等価直列抵抗 = 141mΩ。256シリーズ. MAL256シリーズの極性化アルミ電解コンデンサ、非固体電解質 アルミケースの上部圧力逃し弁 PET絶縁スリーブ. 有効寿命: +105 ℃で2000時間、+85 ℃では5000時間以上 電圧範囲: 16 → 100 V 用途: 一般用途、産業用途の標準及びスイッチモード電源、オーディオシステム、DC/DCコンバータ、通信、平滑化及びフィルタリング用途

静電容量 = 470μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 25mm。高さ = 25mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 1000μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 25mm

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 18mm

静電容量 = 330μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 12.5 x 13mm

静電容量 = 330μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 12.5 x 13mm

静電容量 = 68μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 8 x 8 x 10mm

静電容量 = 33μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 35mm

静電容量 = 22μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 18 x 20mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 10 x 12mm

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 10 x 10mm。Vishay 146 CTIシリーズ. Vishay 146 CTIシリーズアルミSMD (チップ)コンデンサは高温及び低インピーダンス特性を備えています。 充電及び放電防止機能を備え、4ピン及び6ピンタイプは耐振性を備えています。 AEC-Q200認定Vishay 146 CTIコンデンサは、車載用途並びに高温リフローはんだ付けを使用するSMD技術で評価されています。 その他の用途は、産業、通信、平滑化、フィルタリング、バッファリングです。. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質、自己回復、ベースプレート付きSMDタイプ、鉛フリーリフローはんだ付け 充電及び放電防止、ピーク電流制限なし JEDEC J-STD-020に準拠した高温リフローはんだ付け 耐振性、4ピンタイプ及び6ピンタイプ AEC-Q200認定

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 16 x 16mm

静電容量 = 1000μF。電圧 = 50V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 x 25mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 12.5 x 16mm

静電容量 = 10000μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 31 (Dia.) x 42mm。高さ = 42mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 31mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 10mm。許容差 = ±20%。256シリーズ. MAL256シリーズの極性化アルミ電解コンデンサ、非固体電解質 アルミケースの上部圧力逃し弁 PET絶縁スリーブ. 有効寿命: +105 ℃で2000時間、+85 ℃では5000時間以上 電圧範囲: 16 → 100 V 用途: 一般用途、産業用途の標準及びスイッチモード電源、オーディオシステム、DC/DCコンバータ、通信、平滑化及びフィルタリング用途

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 25mm

静電容量 = 100μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 12mm

静電容量 = 1000μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 16 (Dia.) x 31mm。高さ = 31mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 16mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 7.5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング