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Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 16 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン
VISHAY¥849税込¥9341個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 6.6 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
VISHAY¥739税込¥8131個7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET60 V 37 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
VISHAY¥14,980税込¥16,4781セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 37 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。動作温度 Max = +175 ℃。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 5.4 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
VISHAY¥12,980税込¥14,2781セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET600 V 29 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
VISHAY¥1,998税込¥2,1981袋(2個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 29 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 37 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V。長さ = 10.63mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 4.6 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
VISHAY¥14,980税込¥16,4781セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 400 V, 3.7 A, 3 ピン パッケージTO-220FP
VISHAY¥459税込¥5051個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード スルーホール, 30A, 600V, シングル,エレメント数 1 TO-220, 2 + Tab-Pin
VISHAY¥9,998税込¥10,9981セット(50個)7日以内出荷最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 600V。パッケージタイプ = TO-220。ピン数 = 2 + Tab。最大ダイオードキャパシタンス = 20pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 10.36mm。幅 = 4.93mm。高さ = 16.07mm。寸法 = 10.36 x 4.93 x 16.07mmRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ソフトリカバリー 整流ダイオード, 10A, 1000V, 2-Pin TO-220AC
VISHAY¥2,798税込¥3,0781袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ソフトリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.33V長さ = 10.51mm幅 = 4.65mm高さ = 15.25mmピーク逆回復時間 = 310nsピーク逆電流 = 4mA高速回復整流器(1.4 A → 20 A)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
















