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Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、50000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

テクノロジー = タンタル静電容量 = 100nF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 2012-12等価直列抵抗 = 33Ω許容差 = ±10%長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.2mm寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mmシリーズ = TMCP動作温度 Max = +125℃許容差(マイナス) = -10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

テクノロジー = タンタル静電容量 = 330nF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-12等価直列抵抗 = 26.4Ω許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mmシリーズ = TMCU電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル静電容量 = 1.5μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-12等価直列抵抗 = 8.8Ω許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.2mmシリーズ = TMCU電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル静電容量 = 1μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-12等価直列抵抗 = 16.5Ω許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mmシリーズ = TMCU動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 40000 V dc高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 40000 V dc高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、50000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

テクノロジー = タンタル静電容量 = 10μF電圧 = 50V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 2917Vishay TR3シリーズ. Vishay TR3シリーズTantamountRソリッドタンタルチップコンデンサは、低ESR及び高リプル電流通過能力を誇るモールドケースコンデンサです。 TR3 TantamontRシリーズは、静電容量や定格電圧が幅広く、さまざまな用途に適しています。. 低ESR 高温定格 高リプル電流通過能力

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 11.2V最小ブレークダウン電圧 = 7.22V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 6.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 35.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.087mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 8.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 10Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 35.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 12.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 28.8V最小ブレークダウン電圧 = 17.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 16Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 7.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 4.7mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 15.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 12.9V最小ブレークダウン電圧 = 8.33V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 46.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗