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Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、50000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 20000 V dc で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 100nF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2012-12。等価直列抵抗 = 33Ω。許容差 = ±10%。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mm。シリーズ = TMCP。動作温度 Max = +125℃。許容差(マイナス) = -10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 330nF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-12。等価直列抵抗 = 26.4Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 1.5μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-12。等価直列抵抗 = 8.8Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 1μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-12。等価直列抵抗 = 16.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 40000 V dc高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC 及び DC ディスクコンデンサは、30000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、動作電圧 40000 V dc高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 10V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 35.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

Vishay の高電圧クラス 1 セラミック単層 AC / DC ディスクコンデンサは、50000 V dc の動作電圧で動作します。高電圧電源、CO2 レーザー、X 線機器、溶接機器、産業用途などで使用できます。損失係数 1 kHz で 0.2 % ねじ止め端子取り付け

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 10μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2917。Vishay TR3シリーズ. Vishay TR3シリーズTantamountRソリッドタンタルチップコンデンサは、低ESR及び高リプル電流通過能力を誇るモールドケースコンデンサです。 TR3 TantamontRシリーズは、静電容量や定格電圧が幅広く、さまざまな用途に適しています。. 低ESR 高温定格 高リプル電流通過能力

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 43.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 16.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 11.2V。最小ブレークダウン電圧 = 7.22V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 6.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 35.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.087mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 8.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 7.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 16.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.7mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 12.9V。最小ブレークダウン電圧 = 8.33V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 46.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 7.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor