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検出スペクトル = 赤外線， 可視光ピーク感度波長 = 940nmパッケージタイプ = GW実装タイプ = 表面実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 430nm最大検出波長 = 1100nm長さ = 4.4mm幅 = 3.9mm高さ = 1.2mmVBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorのVBPW34S及びVBPW34SRシリーズは、シリコンPINフォトダイオードのファミリです。 高速と高感度を実現します。 VBPW34Sデバイス及びVBPW34SRデバイスは、7.5 mm2チップを含む表面実装(SMD)パッケージ入りです。 このPINフォトダイオードは、可視光線と近赤外線の放射を感知します。. VBPW34S / VBPW34SR PINフォトダイオードの特長: SMDパッケージ リードタイプ: ガルウィング(GW)及びリバースガルウィング(RGW) 寸法: 6.4 x 3.9 x 1.2 mm 高速な応答時間

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 2.3μs標準上昇時間 = 2μsチャンネル数 = 1最大暗電流 = 200nA半値幅感度角度 = 50 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 3 mm (T-1)寸法 = 3.4 x 3.4 x 4.5mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm幅 = 3.4mmBPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光ピーク感度波長 = 900nm実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 430nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 100ns長さ = 5.4mm幅 = 4.3mm高さ = 3.2mm標準上昇時間 = 100nsBPW34シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのBPW34シリーズのシリコンPINフォトダイオードです。フラットトップの透明なプラスチック製小型パッケージに収容されています。BPW34フォトダイオードは、可視光と近赤外線を検知します。高速光検出器用途に適しています。. BPW34フォトダイオードの特長: トップビュー 寸法: 5.4 x 4.3 x 3.2 mm 放射検出面積: 7.5 mm2 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 可視光ピーク感度波長 = 950nm実装タイプ = スルーホール実装ピン数 = 2ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 790nm最大検出波長 = 1050nm標準降下時間 = 100ns長さ = 5mm幅 = 3mm高さ = 6.4mm標準上昇時間 = 100nsBPW83シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のBPW83シリーズはPINフォトダイオードのファミリです。 これらの製品は、昼光フィルタの付いた側方監視の黒色プラスチック製パッケージに収納されているので、周囲の可視光を遮断します。 BPW83フォトダイオードに最適な用途: 高速な赤外線検出器、空間データ伝送システム及び赤外線リモコン. BPW83 PINフォトダイオードの特長: スルーホール取り付け サイドビュー 放射検出面積: 7.5 mm2 高い放射感度 昼光ブロックフィルタ 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 可視光ピーク感度波長 = 940nm実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4ダイオード材質 = Si最小検出波長 = 430nm最大検出波長 = 1100nm標準降下時間 = 100ns長さ = 5mm幅 = 4.24mm高さ = 1.12mm自動車規格 = AEC-Q101VTEMD5010シリーズPINフォトダイオード. Vishay SemiconductorsのTEMD5010シリーズのシリコンPINフォトダイオードです。小型表面実装(SMD)パッケージに収容されており、感知面積が7.5 mm2のチップを搭載しています。TEMD5010は、可視光と近赤外線をどちらも検知します。高速光検出器用途に最適です。. TEMD5010フォトダイオードの特長: 表面実装(SMD) 上方監視 寸法: 5 x 4.24 x 1.12 高い放射感度 高感光性 高速な応答時間 半輝度角度: 65°

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 2.3μs標準上昇時間 = 2μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 8000μA最大暗電流 = 200nA半値幅感度角度 = ±25 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 3 mm (T-1)寸法 = 3 x 4.5mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm高さ = 4.5mmBPW85シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPW85シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 これらはクリアレンズ付きの標準3 mm (T-1)プラスチックパッケージで提供されます。 BPW85及びIR フォトトランジスタは、可視光及び赤外線の放射を感知します。 BPW85シリーズには、BPW85、BPW85A、BPW85B、及びBPW85Cが含まれ、電子制御及び駆動回路用途の検出器に最適です。. BPW85フォトトランジスタの特長: 3 mm (T-1)パッケージ スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 25 ° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 20000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 20 °極性 = NPNピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = TO-18寸法 = 5.5 x 5.5 x 6.15mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm幅 = 5.5mmBPW77NA及びBPW77NBシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW77NA及びBPW77NBシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスレンズ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 BPW77NA及びBPW77NB フォトトランジスタは、可視光及び赤外線両方の放射を感知します。 これらの製品は、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW77NA / BPW77NBフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ 4.7 mm径 スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 800μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = ±40 °極性 = NPNピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = TO-18寸法 = 4.7 x 5.2mmコレクター電流 = 50mA直径 = 4.7mm高さ = 5.2mmBPW76A及びBPW76Bシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW76A及びBPW76Bシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスウィンドウ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 可視光線及び赤外線両方の放射を感知します。 BPW76A及びBPW76Bフォトトランジスタは、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW76A / BPW76Bフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ スルーホール取り付け 4.7 mm径 高感光性 高い放射感度 半輝度角度: 40 ° 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 2.3μs標準上昇時間 = 2μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 15000μA最大暗電流 = 200nA半値幅感度角度 = 40 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm高さ = 8.6mmBPW96B / BPW96Cシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorsのBPW96B / BPW96Cシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタファミリです。 このファミリは、透明プラスチックレンズ付きの5 mm (T-1 3/4)スルーホールパッケージに収容されています。 これにより、BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタで可視光線と近赤外線の放射を感知することができます。 これらのトランジスタに適した用途には、電子制御の検出器、駆動回路などがあります。. BPW96B / BPW96Cフォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 透明のプラスチックパッケージ 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間

ピーク平均順方向電流 40Aピーク逆繰返し電圧 800V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ PBピン数 4ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション回路構成 シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 400A動作温度 Max +150 ℃動作温度 Min -55 ℃ピーク順方向電圧 1.1Vピーク逆電流 500μA寸法 30.3 5.1 20.3mm高さ 20.3mmSIL基板実装、PBシリーズ、Vishay Semiconductor. PBシリーズブリッジ整流器、強化isoCink+T SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor この汎用AC/DC全波ブリッジ整流器は、家庭用電化製品や白物家電の用途におけるリニア電源及びスイッチング電源に最適です。 この整流器は、熱伝導性の優れた、拡張型isoCink+高電流密度シングルインラインパッケージです。. 強化isoCink+ ブリッジ整流器 電気的に絶縁されたデバイスの安全性を示すUL規格のテストを実施済みです。 UL 1557。 強化高電流密度シングルインラインパッケージ 優れた熱伝導性 基板(PCB)スルーホール実装

ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

ピーク平均順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン