「ma2」の検索結果

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 250mAピーク逆繰返し電圧 = 2000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 300nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 50Vパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンダイオードピン数 = 2

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELF最大連続 順方向電流 = 30mAピーク逆繰返し電圧 = 60Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELF最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 15A小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123最大連続 順方向電流 = 150mAピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 750mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = Quadro Melf最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 10nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 15A小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MicroMELF最大連続 順方向電流 = 30mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク非繰返し順方向サージ電流 = 500mA小信号ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。

最大順方向電流 = 300mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンダイオードピン数 = 2

最大順方向電流 = 150mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-123ピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.85mm幅 = 1.7mm高さ = 1.25mm寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.25mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-80最大連続 順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーピーク逆回復時間 = 5ns直径 = 1.6mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A汎用用途に最適 これらのダイオードでは、非常に低いターンオン電圧と高速スイッチングが特長 静電気放電などの過剰な電圧に対して、PNジャンクションガードリングで保護

最大順方向電流 = 300mA1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = MiniMELFピン数 = 2V動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.7mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 50Vパッケージタイプ = MicroMELFダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 2pF動作温度 Max = +175 ℃長さ = 2mm寸法 = 1.2 (Dia.) x 2mm直径 = 1.2mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 V ac最大電流変換率 = 320%標準降下時間 = 2μsシリーズ = SFHオプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Vishay Semiconductor

定格平均オン電流 = 16Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-48繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 360A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 60mA最大ゲートトリガー電圧 = 2V最大保持電流 = 130mAピン数 = 2繰返しピークオフステート電流 = 10mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 25Aサイリスタタイプ = SCRパッケージタイプ = TO-48繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 440A実装タイプ = ねじ取り付け最大ゲートトリガー電流 = 60mA最大ゲートトリガー電圧 = 2V最大保持電流 = 130mAピン数 = 2繰返しピークオフステート電流 = 10mAVishay Semiconductor 位相制御サイリスタ