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Vishay ショットキーバリアダイオード, コモンカソード VISHAYVishay ショットキーバリアダイオード, コモンカソードVISHAY
1,898税込2,088
1袋(5個)ほか
当日出荷から7日以内出荷
1チップ当たりのエレメント数2
Vishay ショットキーバリアダイオード, コモンカソード, 60A, 100V, 3-Pin TO-220AB VISHAYVishay ショットキーバリアダイオード, コモンカソード, 60A, 100V, 3-Pin TO-220ABVISHAY
1,698税込1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 15.32mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 10A, 45V スルーホール, 2-Pin TO-220F ショットキーバリア 640mV VISHAYVishay 整流ダイオード, 10A, 45V スルーホール, 2-Pin TO-220F ショットキーバリア 640mVVISHAY
189税込208
1個
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアTMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 5A, 200V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 1.7V VISHAYVishay 整流ダイオード, 5A, 200V 表面実装, 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 1.7VVISHAY
90税込99
1個
5日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 10A, 100V 表面実装, 3-Pin TO-277A ショットキーバリア 620mV VISHAYVishay 整流ダイオード, 10A, 100V 表面実装, 3-Pin TO-277A ショットキーバリア 620mVVISHAY
78,980税込86,878
1セット(1500個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 620mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 20A, 45V スルーホール, 2-Pin TO-220AC ショットキーバリア 630mV VISHAYVishay 整流ダイオード, 20A, 45V スルーホール, 2-Pin TO-220AC ショットキーバリア 630mVVISHAY
5,798税込6,378
1セット(50個)
7日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AC最大連続 順方向電流 = 20Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 630mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアTMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 40A, 45V スルーホール, 2-Pin TO-220F ショットキーバリア 630mV VISHAYVishay 整流ダイオード, 40A, 45V スルーホール, 2-Pin TO-220F ショットキーバリア 630mVVISHAY
7,598税込8,358
1セット(50個)
7日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 40Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 630mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアTMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBSR)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 4A, 50V 表面実装, 2-Pin DO-221BC ショットキーバリア 590mV VISHAYVishay 整流ダイオード, 4A, 50V 表面実装, 2-Pin DO-221BC ショットキーバリア 590mVVISHAY
2,898税込3,188
1袋(40個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-221BC最大連続 順方向電流 = 4Aピーク逆繰返し電圧 = 50Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 590mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 5A, 45V 表面実装, 2-Pin DO-221AC ショットキーバリア 560mV VISHAYVishay 整流ダイオード, 5A, 45V 表面実装, 2-Pin DO-221AC ショットキーバリア 560mVVISHAY
129,800税込142,780
1セット(3500個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-221AC最大連続 順方向電流 = 5Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 560mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 8A, 100V 表面実装, 3-Pin TO-277A ショットキーバリア 680mV VISHAYVishay 整流ダイオード, 8A, 100V 表面実装, 3-Pin TO-277A ショットキーバリア 680mVVISHAY
69,980税込76,978
1セット(1500個)
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-277A最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 680mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
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