「mosfet」の検索結果

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = SMD入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 0.1μs最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms論理出力 = あり標準降下時間 = 0.1μsシリーズ = VOオプトカプラ、IGBT及びMOSFETドライバ、Vishay Semiconductor

最大負荷電流 = 0.25 A取り付けタイプ = 基板実装最大負荷電圧 = 350 V最大電圧制御 = 1.5 Vターミナルタイプ = 表面実装出力装置 = MOSFET定格電圧範囲 = 350V ac寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm奥行き = 6.5mmオプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vシリーズ = E Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 357 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 15.87mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SC-89-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 8.3 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

MOSFET・モスフェット

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 14.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 3.8mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 10.3V最小ブレークダウン電圧 = 6.67V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 6Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 58.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 15.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 30.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 10Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 35.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 4.7mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 9.65mm高さ = 4.83mmNチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 9.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor