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MOSFET・モスフェット

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220 FULLPAK。実装タイプ = スルーホール

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 80 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 126 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 3V。最低ゲートしきい値電圧 1.2V。最大パワー消費 3.6 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 3.1mm。動作温度 Min -55 ℃mm。TrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 14.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0205 o。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 4.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = VOM

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ P。最大連続ドレイン電流 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 60 V。パッケージタイプ TO-252AA。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 28 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 -3V。最低ゲートしきい値電圧 -1V。最大パワー消費 113 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 6.73mm。動作温度 Min -55 ℃mm

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 47 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。シリーズ = E Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 357 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 580 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 5.31mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 179 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 170 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor