MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
- その他
- 【Id、Vgs印加時のRds On(最大)】80ミリオーム @ 3.7A、10V、【Id印加時のVgs(th)】最大3V @ 250μA、【Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)】20nC @ 10V、8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
- タイプ
- 【FET】2Nチャンネル(デュアル)
- 電流(A)
- (25℃での連続ドレイン(Id))：3.7
- 機能
- 【FET】論理レベルゲート
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 動作温度範囲(℃)
- -55～175(TJ)
- 実装タイプ
- 面実装
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大電力(W)
- 2.4
- 内容量
- 1個
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TE Connectivity 熱収縮チューブ， 収縮前 1.6mm， 収縮後 0.8mm， 黒 CRN-1/16-0-STKTE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))税込￥494～￥449～
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