「mw35」の検索結果

ピーク波長 = 940nmパッケージタイプ = 3 mm (T-1)放射束 = 35mW放射強度 = 80mW/sr実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 3mmレンズ形状 = 砲弾型LED材質 = GaAlAsVishay TSALシリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSALファミリは、スルーホール赤外線(IR)発光ダイオードで構成されています。 3 mm (T-1)又は5 mm (T-1 3/4)パッケージの製品が用意されています。 この高出力赤外線発光ダイオードにより、高放射強度の高放射出力が得られます。 TSALファミリは、赤外線リモートコントロールユニット、空気伝送システム、煙感知器の赤外線光源、光学式カウンタやカードリーダーの赤外線光源などの用途に適しています。. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形式： T-1 寸法( mm 単位)： O 5 Peak Wavelength ： λ p = 940 nm 高信頼性 高放射出力 高放射強度 半輝度の角度：冷間距離 = ± 17 ° 低順方向電圧 高パルス電流動作に適しています Si 光検出器との良好なスペクトルマッチング. 用途. 高出力が要求される赤外線リモコン装置 自由な空気伝達システム 光学カウンタおよびカードリーダー用の赤外線ソース

ピーク波長 = 950nmパッケージタイプ = サブミニチュア放射束 = 35mW放射強度 = 7mW/sr実装タイプ = 表面実装LED数 = 1ピン数 = 2寸法 = 2.5 x 2 x 2.7mmレンズ形状 = ドームLED材質 = GaAlAsVishay TSML1000 / 20 / 30 / 40シリーズ赤外線発光ダイオード. Vishay SemiconductorsのTSML10x0ファミリは、高出力赤外線(IR)発光ダイオードです。 波長940 nmのTSML10x0赤外線LEDにより、高放射出力が得られます。 このファミリは、ドームレンズ付きで無色透明の表面実装(SMT)プラスチックパッケージに収められています。 TSML10x0赤外線エミッタに最適な用途には、リモートコントロール、穿孔テープリーダー、エンコーダ、フォトインタラプタなどがあります。 TSML1000 - 逆ガルウィング TSML1020 - ガルウィング TSML1030 - ヨークリード TSML1040 - アキシャルリード. TSML10x0赤外線LEDの特長: 寸法: 2.5 x 2 x 2.7 mm ピーク波長: 940 nm 高放射出力 / 強度 ビーム角度: 24 ° 低順方向電圧

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 5μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = 0.045%/Kツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 28Ω最大逆漏れ電流 = 25μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = -0.07%/Kツェナーダイオード500 mW、1N52xxシリーズ、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 550Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 110Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 8Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm動作温度 Max = +175 ℃%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 9.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.9 x 1.7 x 1.7mm標準電圧温度係数 = 0.06%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = 0.12%/Kツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1300 mWパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 35mA最大ツェナーインピーダンス = 4Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm標準電圧温度係数 = 0.033%/℃ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用