「mw75」の検索結果

シリーズ = TFPTL。温度係数のタイプ = PTC。熱係数 = -4.39%/K。抵抗@ 25℃ = 1kΩ。許容差 = ±1%。パッケージ/ケース = L10。最大定格電力 = 75mW。長さ = 3.6mm。奥行き = 2.2mm。高さ = 5mm。寸法 = 3.6 x 2.2 x 5mm。ラジアルリード付きPTC - ニッケル薄膜リニアサーミスタ特長 ニッケル薄膜PTC素子 使用温度範囲全体で高い安定性

シリーズ = TFPT。温度係数のタイプ = リニアPTC。熱係数 = 0.41%/℃。抵抗@ 25℃ = 1kΩ。許容差 = ±1%。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。最大定格電力 = 75mW。長さ = 1.6mm。奥行き = 0.85mm。高さ = 0.45mm。寸法 = 1.6 x 0.85 x 0.45mm。0603 TFPTシリーズリニアPTC. Vishayの高安定性薄膜リニアPTCサーミスタ製品で、コンパクトなSMTパッケージに収容されています。このデバイスは、アルミナ基材にニッケルベースのPTC薄膜抵抗素子を備え、広い温度範囲で高い安定性と再現性を発揮します。. 温度係数: +0.41 %/°K @ 25 ℃ 動作温度範囲: -55 → +150 ℃ 5 %又は高精度の1 %のタイプを用意 コンパクトな0603サイズSMTパッケージ cUL認定コンポーネント: 認定番号E148885 RoHS指令2002/95/ECに準拠 IEC61249-2-21規定に準拠したハロゲンフリー

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 50Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = 0.07%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 170Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-80。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 40μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/K。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。標準電圧温度係数 = -0.065%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 90Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。