「mw75」の検索結果

シリーズ = TFPTL温度係数のタイプ = PTC熱係数 = -4.39%/K抵抗@ 25℃ = 1kΩ許容差 = ±1%パッケージ/ケース = L10最大定格電力 = 75mW長さ = 3.6mm奥行き = 2.2mm高さ = 5mm寸法 = 3.6 x 2.2 x 5mmラジアルリード付きPTC - ニッケル薄膜リニアサーミスタ特長 ニッケル薄膜PTC素子 使用温度範囲全体で高い安定性

シリーズ = TFPT温度係数のタイプ = リニアPTC熱係数 = 0.41%/℃抵抗@ 25℃ = 1kΩ許容差 = ±1%パッケージ/ケース = 0603 (1608M)最大定格電力 = 75mW長さ = 1.6mm奥行き = 0.85mm高さ = 0.45mm寸法 = 1.6 x 0.85 x 0.45mm0603 TFPTシリーズリニアPTC. Vishayの高安定性薄膜リニアPTCサーミスタ製品で、コンパクトなSMTパッケージに収容されています。このデバイスは、アルミナ基材にニッケルベースのPTC薄膜抵抗素子を備え、広い温度範囲で高い安定性と再現性を発揮します。. 温度係数: +0.41 %/°K @ 25 ℃ 動作温度範囲: -55 → +150 ℃ 5 %又は高精度の1 %のタイプを用意 コンパクトな0603サイズSMTパッケージ cUL認定コンポーネント: 認定番号E148885 RoHS指令2002/95/ECに準拠 IEC61249-2-21規定に準拠したハロゲンフリー

標準ツェナー電圧 = 12V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 550Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 50Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm標準電圧温度係数 = 0.07%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 18V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 170Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm動作温度 Max = +175 ℃%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100nA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Max = +175 ℃%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-80ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 40μA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Max = +175 ℃%/Kツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

標準ツェナー電圧 = 3.3V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm標準電圧温度係数 = -0.065%/℃ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。