「p-55」の検索結果

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 5kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63P上面調整

最大抵抗 = 1kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63P上面調整

最大抵抗 = 100kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63P上面調整

最大抵抗 = 10kΩ実装タイプ = スルーホール回転数 = 1方位 = 上面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 63P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 9.52mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃63P上面調整

最大抵抗 = 20kΩ実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール回転数 = 20方位 = 側面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 43P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 27.81mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 5kΩ実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール回転数 = 20方位 = 側面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 43P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 27.81mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 2kΩ実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール回転数 = 20方位 = 側面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 43P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 27.81mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 1kΩ実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール回転数 = 20方位 = 側面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 43P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 27.81mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 50kΩ実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール回転数 = 20方位 = 側面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 43P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 27.81mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 10kΩ実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール回転数 = 20方位 = 側面調整定格電力 = 0.5Wシリーズ = 43P終端スタイル = ピン許容差 = ±10%温度係数 = ±100ppm/℃長さ = 27.81mm動作温度 Min = -55℃動作温度 Max = +125℃ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

ポテンショメータタイプ = ロータリ最大抵抗 = 1MΩギャング数 = 1回転数 = 1定格電力 = 0.12W電気テーパー = リニアエレメント材料 = サーメット実装タイプ = パネルマウント終端スタイル = はんだラグシャフト長さ = 25mm軸径 = 6 mm許容差 = ±10%CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

ポテンショメータタイプ = ロータリ最大抵抗 = 5kΩギャング数 = 1回転数 = 1定格電力 = 1W電気テーパー = リニアエレメント材料 = サーメット実装タイプ = パネルマウント終端スタイル = はんだラグシャフト長さ = 25mm軸径 = 6 mmアクチュエータタイプ = 溝付きシャフト%CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

ポテンショメータタイプ = ロータリ最大抵抗 = 1kΩギャング数 = 1回転数 = 1定格電力 = 1W電気テーパー = リニアエレメント材料 = サーメット実装タイプ = パネルマウント終端スタイル = はんだラグシャフト長さ = 25mm軸径 = 6 mm許容差 = ±10%CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

ポテンショメータタイプ = ロータリ最大抵抗 = 100kΩギャング数 = 1回転数 = 1定格電力 = 1W電気テーパー = リニアエレメント材料 = サーメット実装タイプ = パネルマウント終端スタイル = はんだラグシャフト長さ = 25mm軸径 = 6 mm許容差 = ±10%CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

ポテンショメータタイプ = ロータリ最大抵抗 = 5kΩギャング数 = 1回転数 = 1定格電力 = 1W電気テーパー = 対数エレメント材料 = サーメット実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール終端スタイル = はんだラグシャフト長さ = 25mm軸径 = 6 mm許容差 = ±10%CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 19 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 3.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.67mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 9.02mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = PowerPAK 1212-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 52 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 3.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

ポテンショメータタイプ = ロータリ最大抵抗 = 10kΩギャング数 = 1回転数 = 1定格電力 = 1W電気テーパー = リニアエレメント材料 = サーメット実装タイプ = パネルマウント終端スタイル = はんだラグシャフト長さ = 25mm軸径 = 6 mm許容差 = ±10%CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3 W、3.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor