「p55」の検索結果

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 42 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = TSOP-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 3.3 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。長さ = 3.1mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 11 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 6.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A、6.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42.5 mΩ， 62 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 3 W、3.1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 190 mA， 300 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SC-89-6。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω， 8 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 250 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63P上面調整

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63P上面調整

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63P上面調整

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 1。方位 = 上面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 63P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 9.52mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。63P上面調整

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 3μs。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay BY251P-BY255P汎用整流器. DO-201ADエポキシパッケージの Vishay BY251P-BY255P シリーズ汎用整流器。これらの3 A整流器では、スズリードの寸法が25.4 mm、本体の寸法が9.5 x 5.3 mm (直径)になっています。 特長と利点: 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 用途 BY251P-BY255P整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。これらの整流器は、汎用向けで、幅広い用途に適しています。 動作温度範囲 -55 → +150 ℃ ピーク逆反復電圧: BY251P - 200 V BY252P - 400 V BY253P - 600 V BY254P - 800 V BY255P - 1300 V

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 47000 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズ

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 100 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 5 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズめっ

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 100、000 pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 5 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % ス

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55+160 ℃ の静電容量が 470000pF ですこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製で、100 % スズ

Vishay A..P シリーズアキシャルリード型積層セラミックコンデンサは、PPAP の認定を受けた AEC-Q200 認定品で、最も過酷な車載動作条件に適しています。このアキシャルセラミックコンデンサは、-55 → +160 ℃ の範囲で 1000 pF の静電容量がありますこのコンデンサは、信頼性の高い MLCC と ± 10 % の許容差を備えています。黄色の難燃性エポキシ樹脂製

最大抵抗 = 100kΩ。実装タイプ = スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。軸径 = 2.54 mmmm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。19 mm (3/4インチ) 500 mW長方形端面調整型43Pシリーズ、標準. 独自のスライダブロックによる優れた設定能力 マルチフィンガーワイパーによるCRVの最小化 密閉による液浸基板洗浄への耐性 成形ボディ、スタンドオフ内蔵 行程末端でワイパー停止 パネル取り付けアダプタを用意、品番 ； 855-305 855-305

最大抵抗 = 500kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 20kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 5kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 2kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 1kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 50kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

最大抵抗 = 10kΩ。実装タイプ = パネル取り付け、 スルーホール。回転数 = 20。方位 = 側面調整。定格電力 = 0.5W。シリーズ = 43P。終端スタイル = ピン。許容差 = ±10%。温度係数 = ±100ppm/℃。長さ = 27.81mm。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。ボディーカラーは青です。. 19 mm ( インチ) 500 mW 長方形端面調整型 43P シリーズ パネル取り付け. 独自のスライダブロックによる優れた設定性 CRVを最小限に抑えるマルチフィンガーワイパー 浸漬型基板洗浄に耐える密封構造 スタンドオフを内蔵した成型ボディ 行程末端ではワイパーは空転

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1MΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 0.12W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 5kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。アクチュエータタイプ = 溝付きシャフト%。CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W

ポテンショメータタイプ = ロータリ。最大抵抗 = 1kΩ。ギャング数 = 1。回転数 = 1。定格電力 = 1W。電気テーパー = リニア。エレメント材料 = サーメット。実装タイプ = パネルマウント。終端スタイル = はんだラグ。シャフト長さ = 25mm。軸径 = 6 mm。許容差 = ±10%。CECC 41301-004、NFC 83253、LNZ、GAM T1. 金属製ロックワッシャ、ナット. 12 mm P11シリーズ. 金属製ボディ及びシャフトのサーメットトラックポテンショメータ パネル取り付け、はんだピン接続 シングル及びダブルライナ / 対数モデル 絶縁抵抗>；1000 MΩ (500 Vdc) 環境クラス55 / 125 / 56 エンクロージャクラスIP64 リニアトラック1 W、対数トラック0.5 W