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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 19 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
￥759
税込￥835
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仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 400 mA， 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω， 578 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 340 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 VデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,298
税込￥1,428
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