仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 400 mA, 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω, 578 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 340 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 VデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応