「sod1」の検索結果

標準ツェナー電圧 = 47V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 3.25 Wパッケージタイプ = SOD-57ツェナータイプ = 電圧レギュレータピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 45Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4 (Dia.) x 3.6mm標準電圧温度係数 = 0.12%/Kガラス不動態化ジャンクション ハーメチックシールドパッケージ ピコ秒単位のクランプ時間 中電力電圧レギュレータ及び中電力過渡抑制回路

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-64ツェナータイプ = アバランシェピン数 = 2最大逆漏れ電流 = 50μA寸法 = 4.3 (Dia.). x 4mm動作温度 Min = -55 ℃A

最大順方向電流 = 150mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-123ピン数 = 2V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.85mm幅 = 1.7mm高さ = 1.25mm寸法 = 2.85 x 1.7 x 1.25mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOD-80ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 4pF長さ = 3.7mm寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm直径 = 1.6mmガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1パッケージタイプ = SOD-80ピン数 = 2ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 30nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-80ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 40μA寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Max = +175 ℃%/Kツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。

汎用ガラス封止アバランシェダイオードガラスパシベーションジャンクション密閉パッケージ低逆電流AEC-Q101認定

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。