カテゴリ
- 制御機器(95)
絞り込み
ブランド
- VISHAY
- モノタロウ(1)
- 東洋エレメント(1)
- STMicro(157)
- onsemi(119)
- INFINEON(83)
- RS PRO(83)
- ON SEMICONDUCTOR(49)
- ARCOLECTRIC(35)
- TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))(34)
- 東芝(32)
- BOURNS(24)
- 信越化学工業(15)
- ARCOL(OHMITE)(15)
- JST(日本圧着端子製造)(13)
- CADDOCK(12)
- ParkerTAIYO(11)
- TRACO POWER(11)
- SUGICO(スギコ)(10)
- MICROCHIP(10)
- ブランドをもっと見る
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(88)
「to-22」の検索結果
Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 22 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンVISHAY￥15,980税込￥17,578
1セット(25個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 22 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 277 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥199税込￥219
1個
欠品中
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 16A， 60V， 2-Pin TO-220ACVISHAY￥239税込￥263
1個
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃高性能ショットキー整流器、16 → 25 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 2 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥119税込￥131
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥119税込￥131
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 60A， 100V， 3-Pin TO-220ABVISHAY￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 15.32mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 4.7Ω ±5%， RTO050F4R700JTE1VISHAY￥1,698税込￥1,868
1個
5日以内出荷
抵抗 = 4.7Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mm50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値4.7ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 100Ω ±5%， RTO050F100R0JTE1VISHAY￥1,698税込￥1,868
1個
5日以内出荷
抵抗 = 100Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値100ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 47Ω ±5%， LTO050F47R00JTE3VISHAY￥999税込￥1,099
1個
5日以内出荷
抵抗 = 47Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値47ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 5Ω ±5%， LTO030F5R000JTE3VISHAY￥939税込￥1,033
1個
5日以内出荷
抵抗 = 5Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値5ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 10kΩ ±5%， RTO050F10001JTE1VISHAY￥1,898税込￥2,088
1個
5日以内出荷
抵抗 = 10kΩ定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mm50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値10kΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 10mΩ ±5%， LTO030FR0100JTE3VISHAY￥1,298税込￥1,428
1個
5日以内出荷
抵抗 = 10mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 1Ω ±1%， LTO050F1R000FTE3VISHAY￥1,898税込￥2,088
1個
5日以内出荷
抵抗 = 1Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃リード間隔 = 5.08mmLTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値1Ω
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 4.7Ω ±5%， LTO050F4R700JTE3VISHAY￥979税込￥1,077
1個
5日以内出荷
抵抗 = 4.7Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値4.7ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 22Ω ±1%， LTO050F22R00FTE3VISHAY￥1,498税込￥1,648
1個
5日以内出荷
抵抗 = 22Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22Ω
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 2Ω ±1%， LTO030F2R000FTE3VISHAY￥979税込￥1,077
1個
5日以内出荷
抵抗 = 2Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値2Ω
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 470mΩ ±5%， LTO050FR4700JTE3VISHAY￥1,098税込￥1,208
1個
5日以内出荷
抵抗 = 470mΩ定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±250ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値470mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 22Ω ±5%， RTO050F22R00JTE1VISHAY￥1,798税込￥1,978
1個
5日以内出荷
抵抗 = 22Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +155℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値22ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 1Ω ±5%， LTO050F1R000JTE3VISHAY￥979税込￥1,077
1個
5日以内出荷
抵抗 = 1Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値1ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 50mΩ ±5%， LTO030FR0500JTE3VISHAY￥949税込￥1,044
1個
5日以内出荷
抵抗 = 50mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±700ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値50mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 15Ω ±5%， RTO050F15R00JTE1VISHAY￥1,798税込￥1,978
1個
5日以内出荷
抵抗 = 15Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値15ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 10Ω ±5%， RTO050F10R00JTE1VISHAY￥1,798税込￥1,978
1個
5日以内出荷
抵抗 = 10Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = RTO 50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)
抵抗値10ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 10kΩ ±5%， LTO030F10001JTE3VISHAY￥859税込￥945
1個
5日以内出荷
抵抗 = 10kΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10kΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 22Ω ±5%， LTO030F22R00JTE3VISHAY￥699税込￥769
1個
5日以内出荷
抵抗 = 22Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 20Ω ±1%， LTO030F20R00FTE3VISHAY￥1,098税込￥1,208
1個
5日以内出荷
抵抗 = 20Ω定格電力 = 30W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃リード間隔 = 5.08mmLTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値20Ω
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 22Ω ±5%， LTO050F22R00JTE3VISHAY￥999税込￥1,099
1個
5日以内出荷
抵抗 = 22Ω定格電力 = 50W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値22ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 100Ω ±5%， LTO030F100R0JTE3VISHAY￥869税込￥956
1個
5日以内出荷
抵抗 = 100Ω定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値100ΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 30W 100mΩ ±5%， LTO030FR1000JTE3VISHAY￥999税込￥1,099
1個
5日以内出荷
抵抗 = 100mΩ定格電力 = 30W許容差 = ±5%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO30パッケージ/ケース = TO-220動作温度 Max = +150℃動作温度 Min = -55℃LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器. LTO30シリーズ30 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は30 Wで25 ℃です。 これらのLTO30シリーズ30 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲を備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 30 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値100mΩRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 厚膜 抵抗器 50W 10Ω ±1%， LTO050F10R00FTE3VISHAY￥1,298税込￥1,428
1個
5日以内出荷
抵抗 = 10Ω定格電力 = 50W許容差 = ±1%テクノロジー = 厚膜シリーズ = LTO50パッケージ/ケース = TO-220温度係数 = ±150ppm/℃動作温度 Min = -55℃LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器. LTO50シリーズ50 W厚膜型の電力抵抗器はコンパクトなTO-220パッケージを備え、ヒートシンクを装着したケースの温度は50 Wで25 ℃です。 これらのLTO50シリーズ50 W電力抵抗器は直接ヒートシンク上にセラミックを装着し、550 KΩまでの幅広いR010の抵抗範囲と絶縁されたケースを備え、誘導性がありません。. 厚膜セラミック抵抗器 装着されたヒートシンクのケース温度: 50 W @ 25 ℃ 直接ヒートシンク上にセラミックを装着 TO-220パッケージ 絶縁されたケース ホットスポットを低減するためにサンドトリミングで調整
抵抗値10Ω
Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 6.6 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンVISHAY￥549税込￥604
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 10 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥489税込￥538
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET400 V 10 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥349税込￥384
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET800 V 4.1 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥319税込￥351
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード， 10A， 45V スルーホール， 2-Pin TO-220F ショットキーバリア 640mVVISHAY￥189税込￥208
1個
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220F最大連続 順方向電流 = 10Aピーク逆繰返し電圧 = 45Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキー整流器ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 640mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアTMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 11 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥399税込￥439
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET1000 V 1.4 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンVISHAY￥229税込￥252
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
