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RoHS10物質対応(12)
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Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 60A， 100V， 3-Pin TO-220ABVISHAY￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 15.32mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 85 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥969税込￥1,066
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 57 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 10A， 35V， 2-Pin TO-220ACVISHAY￥779税込￥857
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 35V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃高性能ショットキー整流器、10 → 15 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に短時間です。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード， 16A， 60V， 2-Pin TO-220ACVISHAY￥239税込￥263
1個
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃高性能ショットキー整流器、16 → 25 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ソフトリカバリー 整流ダイオード， 10A， 1000V， 2-Pin TO-220ACVISHAY￥2,798税込￥3,078
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ソフトリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.33V長さ = 10.51mm幅 = 4.65mm高さ = 15.25mmピーク逆回復時間 = 310nsピーク逆電流 = 4mA高速回復整流器(1.4 A → 20 A)、Vishay Semiconductor. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の高速回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 3.7 A， 3 ピン パッケージTO-220FPVISHAY￥379税込￥417
1個
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥199税込￥219
1個
当日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
