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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
649 税込714
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 280 W標準ターンオン遅延時間 = 17 nsNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
999 税込1,099
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 60V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃高性能ショットキー整流器、16 → 25 A、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
239 税込263
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実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 50ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 250A。超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,998 税込8,798
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定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,198 税込2,418
5日以内出荷

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,498 税込2,748
5日以内出荷



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