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Vishay ファストリカバリー 整流ダイオード, 175A, 200V, 4-Pin SOT-227
VISHAY¥4,398税込¥4,8381個7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-227ピン数 = 4最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 38.3mm幅 = 25.7mm高さ = 12.3mmピーク逆回復時間 = 58ns動作温度 Max = +175 ℃超高速回復整流器(16 → 330 A)、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 6.7 A, 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY¥339税込¥3731個当日出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 6A, 800V, 4-Pin GBPC6
VISHAY¥469税込¥5161個当日出荷仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPC6ピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 16mm高さ = 5.08mmUL、E54214. 基板実装用ブリッジ整流器、GBPC6シリーズ、Vishay Semiconductor. 基盤(PCB)実装に最適 標準的なDC逆電流: 0.5 μA未満 ワイヤリード構造RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード, コモンカソード, 12A, 100V, 3-Pin DPAK (TO-252)
VISHAY¥829税込¥9121袋(5個)翌々日出荷仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DPAK (TO-252)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 650mV長さ = 6.73mm幅 = 6.22mm高さ = 2.39mm動作温度 Min = -55 ℃高性能ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishay製の高性能なショットキーダイオードは、1 A~175 Aの順方向の定格電流と15 V~150 Vの定格電圧を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET60 V 37 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
VISHAY¥15,980税込¥17,5781セット(50個)7日以内出荷チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 37 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。動作温度 Max = +175 ℃。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay SMDレジスタ, 150Ω, 2512 (6432M), 6W PCAN2512E1500BST3
VISHAY¥149,800税込¥164,7801セット(300個)7日以内出荷抵抗 = 150Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 6W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANシリーズ2512ラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay SMDレジスタ, 150Ω, 1206 (3216M), 2W PCAN1206E1500BST3
VISHAY¥7,598税込¥8,3581袋(10個)7日以内出荷抵抗 = 150Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay SMDレジスタ, 75Ω, 1206 (3216M), 2W PCAN1206E75R0BST3
VISHAY¥7,998税込¥8,7981袋(10個)7日以内出荷抵抗 = 75Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。許容差 = ±0.1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±25ppm/℃。シリーズ = PCAN。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。Vishay PCANラップアラウンド表面実装精密薄膜チップ抵抗器. Vishay PCAN精密薄膜表面実装抵抗器は、ブレーキシステム、電源、電源スイッチングなどに最適です。 はんだ接合部と上部抵抗層の間の熱抵抗は、終端の拡大によって抑制されています。. PCAN高熱伝導精密薄膜SMD抵抗器は窒化アルミ基材上に設計 最大定格電力: 6.0 W 抵抗範囲: 30 → 175 Ω 難燃性: UL94 V-0RoHS指令(10物質対応)対応公称抵抗値(Ω)75
Vishay スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 μSMP, 2-Pin 1.1V
VISHAY¥33,980税込¥37,3781セット(4500個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = μSMP。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 0.73mm。寸法 = 2.3 x 1.4 x 0.73mm。標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-213AB, 2-Pin 1.3V
VISHAY¥1,898税込¥2,0881袋(50個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 5.2 x 2.67mm。直径 = 2.67mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, 1.5A, 45V 表面実装, 2-Pin DO-214AC (SMA) ショットキーバリア 500mV
VISHAY¥419税込¥4611袋(20個)7日以内出荷実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 45V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 500mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。Vishay Semiconductor 高性能ショットキーダイオード. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。ショットキーダイオードの逆回復時間は非常に高速です。ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishayの高性能ショットキーダイオードは、1 → 175 Aの正方向定格電流、15 → 150 Vの定格電圧を持っています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-213AB, 2-Pin 1.25V
VISHAY¥56,980税込¥62,6781セット(1500個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 DO-213AB, 2-Pin 1V
VISHAY¥46,980税込¥51,6781セット(1500個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 6A, 200V, 22.3 x 3.56 x 18.8mm, GBU6D-E3/45
VISHAY¥2,398税込¥2,6381袋(5個)7日以内出荷ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBU。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 22.3mm。幅 = 3.56mm。ULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピンRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 6A, 1000V, 16 x 16 x 5.08mm, GBPC610-E4/51
VISHAY¥2,898税込¥3,1881袋(5個)7日以内出荷ピーク平均順方向電流 = 6A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 16mm。幅 = 16mm。UL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 小信号ダイオード 表面実装, 200mA, 50V, シングル,エレメント数 1 MicroMELF, 2-Pin 1V
VISHAY¥17,980税込¥19,7781セット(2500個)7日以内出荷最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2mm。寸法 = 1.2 (Dia.) x 2mm。直径 = 1.2mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース: DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子: つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性: カラーバンドでカソード端を表示RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ツェナーダイオード 6.2V 表面実装 500 mW
VISHAY¥11,980税込¥13,1781セット(2500個)7日以内出荷標準ツェナー電圧 = 6.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = MiniMELF。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。動作温度 Max = +175 ℃%/℃。ツェナーダイオード500 mW、TZMシリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay製の定格500 mWの表面実装(SMT)ツェナーダイオードは、3.3 → 75 Vの範囲の破壊電圧に対応します。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード 表面実装, 300mA, シングル,エレメント数 1 MiniMELF, 2-Pin 1V
VISHAY¥1,998税込¥2,1981袋(250個)7日以内出荷最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MiniMELF。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.7mm。幅 = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース: DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子: つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性: カラーバンドでカソード端を表示RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 小信号ダイオード 表面実装, 150mA, 100V, シングル,エレメント数 1 Quadro Melf, 2-Pin 1V
VISHAY¥10,980税込¥12,0781セット(2500個)7日以内出荷最大順方向電流 = 150mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = Quadro Melf。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.5mm。幅 = 1.7mm。高さ = 1.5mm。寸法 = 3.5 x 1.7 x 1.5mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース: DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子: つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性: カラーバンドでカソード端を表示RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay スイッチングダイオード 表面実装, シングル,エレメント数 1 MiniMELF, 2-Pin 1V
VISHAY¥12,980税込¥14,2781セット(2500個)7日以内出荷ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MiniMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.7mm。幅 = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 1.6 x 3.7 x 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース: DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子: つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性: カラーバンドでカソード端を表示RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET, 200 V, 57 A, 3 ピン パッケージTO-220AB
VISHAY¥4,198税込¥4,6181袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay ショットキーバリアダイオード, 1.5A, 100V, 2-Pin DO-214AC (SMA)
VISHAY¥399税込¥4391袋(10個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 850mV長さ = 4.6mm幅 = 2.9mm動作温度 Max = +150 ℃高性能ショットキーダイオード、Vishay Semiconductor. ショットキー整流器は、順方向の電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に速い半導体ダイオードです。 ショットキーダイオードの逆回復時間は、非常に速いです。 ショットキーダイオードは、高速スイッチングと低電力損失を必要とする用途に適しています。 Vishay製の高性能なショットキーダイオードは、1 A~175 Aの順方向の定格電流と15 V~150 Vの定格電圧を備えています。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流用 ブリッジダイオード 単相 3.8A, 600V, 4-Pin GBU
VISHAY¥2,198税込¥2,4181袋(5個)7日以内出荷仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 3.8Aピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 5μA長さ = 22.3mm寸法 = 22.3 x 3.56 x 18.8mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピンRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, スタッドカソード, 16A, 800V, 2-Pin DO-4
VISHAY¥1,398税込¥1,5381個7日以内出荷仕様ダイオード構成 = スタッドカソード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.23V長さ = 12.69mm幅 = 11mm高さ = 31.8mm動作温度 Max = +175 ℃標準回復整流器、11 → 40 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay 整流ダイオード, スタッドアノード, 16A, 400V, 2-Pin DO-4
VISHAY¥5,298税込¥5,8281袋(5個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = スタッドアノード1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = ねじ取り付けパッケージタイプ = DO-4ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.23V長さ = 12.69mm幅 = 11mm高さ = 31.8mm動作温度 Max = +175 ℃標準回復整流器、11 → 40 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。RoHS指令(10物質対応)対応



































