基板用リレー (12) ブランド: Panasonic(パナソニック)すべて解除
Panasonicフォトカプラ, スルーホール実装, MOSFET出力, AQV257 Panasonic(パナソニック) 5日以内出荷
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 フォトモスリレー、HEタイプ. ソリッドステートと機械式リレーの長所を組み合わせたフォトモスリレー 低オン抵抗と低価格のバランスを取るのに役立つ豊富なバリエーション マイクロアナログ信号制御が可能 回路開のときに低電流漏洩 AC / DC負荷制御が可能 パッケージ DIP 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス MOSFET 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(kV) 1.5rms
Panasonic フォトカプラ, スルーホール実装, MOSFET出力, AQZ207 Panasonic(パナソニック) 欠品中
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 APA831ソケットはAQZ262, AQZ264には適合いたしません。. Photo MOS リレーパワー タイプ. ソリッドステートリレーとメカニカルリレーの長所を兼ね備えたPhotoMOSリレー パワー制御を可能にした出力インターフェース用 入出力間耐電圧:2,500Vの高絶縁 AC/DC負荷制御が可能 パッケージ SIL 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス MOSFET 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(V) 2500
Panasonicフォトカプラ, スルーホール実装, MOSFET出力, AQV254 Panasonic(パナソニック) 6日以内出荷
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 カナダ / 米国のUL認定. AQV SSR. DIP6ピンタイプ基板実装ソリッドステートリレーは抵抗が低く、コストパフォーマンスに優れています。この基板リレーの主な用途には、高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷の制御などが挙げられます。. 高感度及び低抵抗 AC又はDCスイッチング 低熱EMF、約1 μV 動作温度範囲: -40 → +85℃ 高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷を制御 パッケージ DIP 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス MOSFET 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(kV) 1.5rms
Panasonicフォトカプラ, スルーホール実装, MOSFET出力, AQV253 Panasonic(パナソニック) 5日以内出荷
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 カナダ / 米国のUL認定. AQV SSR. DIP6ピンタイプ基板実装ソリッドステートリレーは抵抗が低く、コストパフォーマンスに優れています。この基板リレーの主な用途には、高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷の制御などが挙げられます。. 高感度及び低抵抗 AC又はDCスイッチング 低熱EMF、約1 μV 動作温度範囲: -40 → +85℃ 高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷を制御 パッケージ DIP 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス MOSFET 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(kV) 1.5rms
Panasonicフォトカプラ, スルーホール実装, MOSFET出力, AQY272 Panasonic(パナソニック) 5日以内出荷
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 UL認定 : カナダ/米国. AQY SSR. プリント基板用ソリッドステートリレー(DIP4ピン)は、寸法が 9.3 x 8.8 x 3.9mm のフラットパッケージタイプです。プリント基板用ソリッドステートリレーは、高感度と低オン抵抗を実現します。主にはテスト/測定機器、データ通信、電源センサなど、各種負荷制御の用途に使われます。. 各種 4ピン DIP / SMT パッケージ 高感度 / 低抵抗 低レベルのオフ状態リーク電流 動作温度: -40 → +85 ° C テスト/ 測定機器、データ通信、電源センサなど各種負荷を制御 パッケージ DIP 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス MOSFET 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(kV) 2.5rms
Panasonicフォトカプラ, スルーホール実装, MOSFET出力, AQY274 Panasonic(パナソニック) 5日以内出荷
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 UL認定 : カナダ/米国. AQY SSR. プリント基板用ソリッドステートリレー(DIP4ピン)は、寸法が 9.3 x 8.8 x 3.9mm のフラットパッケージタイプです。プリント基板用ソリッドステートリレーは、高感度と低オン抵抗を実現します。主にはテスト/測定機器、データ通信、電源センサなど、各種負荷制御の用途に使われます。. 各種 4ピン DIP / SMT パッケージ 高感度 / 低抵抗 低レベルのオフ状態リーク電流 動作温度: -40 → +85 ° C テスト/ 測定機器、データ通信、電源センサなど各種負荷を制御 パッケージ DIP 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス MOSFET 最大順方向電圧(V) 1.5 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(kV) 2.5rms
Panasonic フォトカプラ, スルーホール実装, MOSFET出力, AQV252 Panasonic(パナソニック) 5日以内出荷
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 6 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 カナダ / 米国のUL認定. AQV SSR. DIP6ピンタイプ基板実装ソリッドステートリレーは抵抗が低く、コストパフォーマンスに優れています。この基板リレーの主な用途には、高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷の制御などが挙げられます。. 高感度及び低抵抗 AC又はDCスイッチング 低熱EMF、約1 μV 動作温度範囲: -40 → +85℃ 高速検査機やデータ通信機器などにあるリレー、ランプ、ソレノイドのようなさまざまな種類の負荷を制御 パッケージ DIP 実装タイプ スルーホール実装 出力デバイス MOSFET 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(kV) 1.5rms
Panasonicフォトカプラ, 表面実装, MOSFET出力, AQY414EHA Panasonic(パナソニック) 7日以内出荷
タイプ 入力電流:DC ピン数(ピン) 4 RoHS指令(10物質対応) 対応 特性 UL認定 : カナダ/米国. AQY SSR. プリント基板用ソリッドステートリレー(DIP4ピン)は、寸法が 9.3 x 8.8 x 3.9mm のフラットパッケージタイプです。プリント基板用ソリッドステートリレーは、高感度と低オン抵抗を実現します。主にはテスト/測定機器、データ通信、電源センサなど、各種負荷制御の用途に使われます。. 各種 4ピン DIP / SMT パッケージ 高感度 / 低抵抗 低レベルのオフ状態リーク電流 動作温度: -40 → +85 ° C テスト/ 測定機器、データ通信、電源センサなど各種負荷を制御 パッケージ PDIP 実装タイプ 表面実装 出力デバイス MOSFET 最大入力電流(mA) 50 絶縁電圧(kV) 5rms
MOSFETドライバ Panasonic(パナソニック) ¥ 9,998~税込 ¥ 10,998~
1箱(50個)ほか
32日以内出荷
豊富な商品ラインナップ(SSOP、SOP4pin、DIP6pin)
動作時間:Typ.0.4msの高速スイッチング(APV1121S)
耐電圧:5,000Vrmsの高絶縁(APV1122)
用途 MOSFET駆動、電子回路の電源(Vcc)供給部 規格 UL/C-UL
MOSFET Panasonic(パナソニック) ¥ 24,980~税込 ¥ 27,478~
1箱(50個)
42日以内出荷
パナソニック, ソリッドステートリレー 最大負荷電流:1.5 A 最大負荷電圧:60 V 表面実装, AQW612EHA Panasonic(パナソニック) 当日出荷 から 7日以内出荷
仕様 Panasonic DIP8 ピンは絶縁性が強化されています。NO と NC の両方が組み込まれています。強化絶縁: 5 、 000 V 約 1 フォーム A 及び 1 フォーム B フォト MOS のセットの実装面積と比べて 1/2 のスペース 1 フォーム A 及び 1 フォーム B 用途に適合します さらに、 2 つの独立した 1 フォーム A と 1 フォーム B で使用します 低レベルアナログ信号を制御 高感度及び高速応答 低レベルオフ状態漏洩電流 取付方式 表面実装 シリーズ PhotoMOS 接点構成 2 x SPNO 範囲 AWQ 最大負荷電流(A) 1.5 スイッチング方式 AC/DC 出力装置 MOSFET 最大負荷電圧(V) 60 最小負荷電圧(V) 48
パナソニック, ソリッドステートリレー スルーホール, AQZ404 Panasonic(パナソニック) 5日以内出荷
仕様 APA831ソケットはAQZ262, AQZ264には適合いたしません。. Photo MOS リレーパワー タイプ. ソリッドステートリレーとメカニカルリレーの長所を兼ね備えたPhotoMOSリレー パワー制御を可能にした出力インターフェース用 入出力間耐電圧:2,500Vの高絶縁 AC/DC負荷制御が可能 取付方式 スルーホール RoHS指令(10物質対応) 対応 出力装置 MOSFET
パナソニック, ソリッドステートリレー 最大負荷電流:0.25 A 最大負荷電圧:40 V 基板実装, AQY221R2M Panasonic(パナソニック) 5日以内出荷
仕様 UL、C-UL (AQY22シリーズ以外). AQYシリーズ. 低レベルアナログ信号を制御 低レベルのオフ状態漏洩電流は最大1 μA 低オン抵抗 - AQY22シリーズ 寸法(mm) 2.2×2.95×1.4 取付方式 基板実装 接点構成 SPST 最大負荷電流(A) 0.25 RoHS指令(10物質対応) 対応 動作温度範囲(℃) -40 → +85 最小負荷電流(A) 0.25 最大ターンオン時間 0.5ms 出力装置 MOSFET 最小電圧制御(V) 1.5 dc 最大負荷電圧(V) 40
ソリッドステートリレー 最大負荷電流:0.06 A 最大負荷電圧:1500 V 表面実装 Panasonic(パナソニック) 7日以内出荷
Panasonic DIP6 ピンタイプは、低オン抵抗で絶縁が強化されています。40 V、60 V、100 V、200 V、250 V、400 V、600 V、1、000 V の幅広い負荷電圧タイプ 低オン抵抗(標準) 0.6O です ( AQV251 ) 5、000 Vrms I/O 絶縁の強化絶縁タイプを用意しています
仕様 ●最小負荷電流:0.02 A●範囲:AQV●シリーズ:PhotoMOS●最小負荷電圧:1200 V●最大負荷電圧:1500 V●スイッチングタイプ:AC/DC●接点構成:SPNO●出力装置:MOSFET●コード番号:205-6867 アズワン品番 65-8068-63
パナソニック, ソリッドステートリレー 最大負荷電流:130 mA 最大負荷電圧:350 V 基板実装, AQV210EH Panasonic(パナソニック) ¥ 23,980税込 ¥ 26,378
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様 UL、CSA. AQV210E / AQV210EHソリッドステートリレー. MOSFET出力段を備えた光電子PhotoMOSリレー 用途: 電話機、通信機器、高速通信システム 寸法(mm) 8.8×6.4×3.9 取付方式 基板実装 接点構成 SPST 最大負荷電流(mA) 130 漏れ電流(μA) 1 RoHS指令(10物質対応) 対応 パッケージ DIP6 最大ターンオン時間 2ms 出力装置 PhotoMOS 最小電圧制御(V) 1.14 最大負荷電圧(V) 350 電圧制御範囲(V) 1.14→1.5
パナソニック, ソリッドステートリレー 最大負荷電流:0.75 A 最大負荷電圧:200 V 表面実装, AQV257A Panasonic(パナソニック) 7日以内出荷
仕様 Panasonic DIP6 ピンタイプは、低オン抵抗で絶縁が強化されています。40 V 、 60 V 、 100 V 、 200 V 、 250 V 、 400 V 、 600 V 、 1 、 000 V の幅広い負荷電圧タイプ 低オン抵抗(標準) 0.6O ( AQV251 ) I/O 絶縁の強化絶縁タイプ: 5 、 000 Vrms 可能 取付方式 表面実装 シリーズ PhotoMOS 接点構成 SPST 最大負荷電流(A) 0.75 スイッチング方式 AC/DC RoHS指令(10物質対応) 対応 最小負荷電流(A) 0.25 出力装置 MOSFET 最大負荷電圧(V) 200 最小負荷電圧(V) 160
パナソニック, ソリッドステートリレー 最大負荷電流:0.15 A 最大負荷電圧:25 V 表面実装, AQY221N3M Panasonic(パナソニック) 7日以内出荷
仕様 Panasonic マイクロミニチュア SON パッケージ C x R5 : 25 V の負荷電圧超小型 SON パッケージは、スペースの節約と高さに貢献します 実装密度 SON タイプは、約の新しい Photo MOS です 既存の SSOP タイプの体積比は 43 % C x R5 - 出力静電容量(標準) 1.1 pF 、オン抵抗(標準) 5.5 O 取付方式 表面実装 シリーズ PhotoMOS 接点構成 SPST 最大負荷電流(A) 0.15 スイッチング方式 AC/DC RoHS指令(10物質対応) 対応 最小負荷電流(A) 0.15 出力装置 MOSFET 最大負荷電圧(V) 25 最小負荷電圧(V) 15