Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 96.8V, SMCJ60ATAIWAN SEMICONDUCTOR¥149,800税込¥164,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 96.8V最小ブレークダウン電圧 = 66.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 60Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 15.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.75mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 23.2V, SMCJ14CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 23.2V最小ブレークダウン電圧 = 15.6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 14Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 64.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 18.2V, SMCJ11ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 18.2V最小ブレークダウン電圧 = 12.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 11Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 82.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 482V, P6KE350ATAIWAN SEMICONDUCTOR¥159,800税込¥175,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 482V最小ブレークダウン電圧 = 332V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 300Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 1.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 7.62 x 3.56 x 3.56mmテスト電流 = 1mAアキシャル単方向600 W TVSダイオード、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 93.6V, SMCJ58ATAIWAN SEMICONDUCTOR¥99,980税込¥109,978
1セット(3000個)
5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 93.6V最小ブレークダウン電圧 = 64.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 58Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 16A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 32.4V, SMBJ20CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 32.4V最小ブレークダウン電圧 = 22.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 20Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 18.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 17V, SMCJ10ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 10Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 88.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.75mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 18.2V, SMBJ11ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 18.2V最小ブレークダウン電圧 = 12.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 11Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 137V, SMBJ85ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 137V最小ブレークダウン電圧 = 94.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 85Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 4.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 9.2V, SMBJ5V0ATAIWAN SEMICONDUCTOR6日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 27.6V, SMBJ17ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.45mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 9.2V, SMBJ5V0CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm高さ = 2.45mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 35.5V, SMBJ22CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 35.5V最小ブレークダウン電圧 = 24.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 22Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 16.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 275V, SMCJ170CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 275V最小ブレークダウン電圧 = 189V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 170Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 5.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm高さ = 2.75mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 137V, P6KE100CATAIWAN SEMICONDUCTOR¥79,980税込¥87,978
1セット(4000個)
5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 137V最小ブレークダウン電圧 = 95V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 85.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 4.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.56mmTVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 243V, SMBJ150CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 2.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 45.4V, SA28CATAIWAN SEMICONDUCTOR7日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 45.4V最小ブレークダウン電圧 = 31.1V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 28Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 11.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 3.6mmTVSダイオードアキシャル双方向500 W、Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 72.7V, SMBJ45CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 72.7V最小ブレークダウン電圧 = 50V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 45Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 8.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 121V, SMCJ75CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 121V最小ブレークダウン電圧 = 92.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 75Vピン数 = 2最大ピークパルス電流 = 12.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0
Taiwan Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 6A, 100V, 22.3 x 3.56 x 18.8mm, GBU602TAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様UL、E-326243. GBU601~GBU607、6 A 単相ブリッジ整流器、Taiwan Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 1500 V rmsの高いケース絶縁性 耐高サージ電流 標準的な逆電流: 0.1 μA未満長さ(mm)22.3ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)175ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1ブリッジタイプ単相静電容量(pF)ジャンクション:211
Taiwan Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 8A, 100V, 22.3 x 3.56 x 18.8mm, GBU802TAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様UL、E-326243. GBU801~GBU807、8 A 単相ブリッジ整流器、Taiwan Semiconductor. 基板(PCB)スルーホール実装に最適 1500 V rmsの高いケース絶縁性 耐高サージ電流 標準的な逆電流: 0.1 μA未満長さ(mm)22.3高さ(mm)18.8ピン数(ピン)4ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスルーホールピーク平均順方向電流(A)8ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200ピーク逆電流(μA)500ピーク順方向電圧(V)1.1
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 19.9V, SMCJ12ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0ピン数(ピン)2動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)12最大クランピング電圧(V)19.9最小ブレークダウン電圧(V)13.3ピークパルスパワー消費(W)1500最大ピークパルス電流(A)75.3最大逆漏れ電流(μA)5方向性タイプ単方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 193V, SMBJ120ATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0ピン数(ピン)2動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)120最大クランピング電圧(V)193最小ブレークダウン電圧(V)133ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)3.1最大逆漏れ電流(μA)5方向性タイプ単方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 72.7V, SMBJ45CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0ピン数(ピン)2動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)45最大クランピング電圧(V)72.7最小ブレークダウン電圧(V)50ピークパルスパワー消費(W)600最大ピークパルス電流(A)8.3最大逆漏れ電流(μA)5方向性タイプ双方向
Taiwan Semiconductor TVSダイオード, 双方向, 表面実装, 23.2V, SMCJ14CATAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0ピン数(ピン)2動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大逆スタンドオフ電圧(V)14最大クランピング電圧(V)23.2最小ブレークダウン電圧(V)15.6ピークパルスパワー消費(W)1500最大ピークパルス電流(A)64.7最大逆漏れ電流(μA)5方向性タイプ双方向
Taiwan Semiconductor 整流用 ブリッジダイオード 単相 2A, 1000V, 8.51 x 6.5 x 2.6mm, DBLS207GTAIWAN SEMICONDUCTOR5日以内出荷
仕様UL E-326854. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DBLSシリーズ、Taiwan Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 自動位置決めに最適 成形プラスチック技術を使用した信頼性の高い低コスト構造 耐高サージ電流寸法(mm)8.51×6.5×2.6高さ(mm)2.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)2ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)10ピーク順方向電圧(V)1.15