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ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 482V。最小ブレークダウン電圧 = 332V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 300V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 1.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.62 x 3.56 x 3.56mm。テスト電流 = 1mA。アキシャル単方向600 W TVSダイオード、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 93.6V。最小ブレークダウン電圧 = 64.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 58V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 16A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 32.4V。最小ブレークダウン電圧 = 22.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 20V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 18.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 17V。最小ブレークダウン電圧 = 11.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 10V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 88.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 18.2V。最小ブレークダウン電圧 = 12.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 11V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 33A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 137V。最小ブレークダウン電圧 = 94.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 85V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 4.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 27.6V。最小ブレークダウン電圧 = 18.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 17V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 21.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 65.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。高さ = 2.45mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 22.5V。最小ブレークダウン電圧 = 15.2V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 13.6V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 28A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 3.6mm。TVSダイオードアキシャル双方向600 W、Taiwan Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 35.5V。最小ブレークダウン電圧 = 24.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 22V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 16.9A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 275V。最小ブレークダウン電圧 = 189V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 170V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 5.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 7.15 x 6.25 x 2.75mm。高さ = 2.75mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 137V。最小ブレークダウン電圧 = 95V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 85.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 4.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 3.56mm。TVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 85V。最小ブレークダウン電圧 = 58.9V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 53V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.6 x 3.6 x 3.6mm。高さ = 3.6mm。TVSダイオードアキシャル双方向600 W、Taiwan Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 243V。最小ブレークダウン電圧 = 167V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 150V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 2.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 500W。最大ピークパルス電流 = 11.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 3.6mm。TVSダイオードアキシャル双方向500 W、Taiwan Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 72.7V。最小ブレークダウン電圧 = 50V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 45V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 8.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.75 x 3.95 x 2.45mm。幅 = 3.95mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 121V。最小ブレークダウン電圧 = 92.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 75V。ピン数 = 2。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.25mm。過渡電圧サプレッサ、SMT双方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション ピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0