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仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：60 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：4V、最低ゲートしきい値電圧：2V、最大ゲート-ソース間電圧：-5 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：330 W、標準ターンオフ遅延時間：26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ； 強化モードNチャンネルSiC技術 ； 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ； 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ； 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ； 抗ラッチアップ動作
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥229,800
税込￥252,780
7日以内出荷
仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。 誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ； MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。 ； 超低損失高周波動作 ； SiC特性により、並列が容易 ； 通常オフ、フェイルセーフ動作 ； 銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最小ゲートしきい値電圧(V)1.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 208 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.2V最低ゲートしきい値電圧 = 1.7V最大パワー消費 = 208 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V、+25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥149,800
税込￥164,780
7日以内出荷
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 90 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 463 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥15,980
税込￥17,578
5日以内出荷
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン ソース間降伏電圧 最大 1200 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 196 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -5 V， +20 Vトランジスタ素材 = SiCmm高さ = 21.1mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥56,980
税込￥62,678
7日以内出荷
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