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N-chan SiC MOSFET
WOLFSPEED
￥249,800税込￥274,780
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：60 A、最大ドレイン-ソース間電圧：1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：4V、最低ゲートしきい値電圧：2V、最大ゲート-ソース間電圧：-5 V， +20 V、パッケージタイプ：TO-247、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET、最大パワー消費：330 W、標準ターンオフ遅延時間：26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。；強化モードNチャンネルSiC技術；高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ；複数のデバイスを簡単に接続して駆動；高速スイッチング、低いオン状態抵抗；抗ラッチアップ動作RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed デュアル NチャンネルパワーMOSFET
WOLFSPEED
￥99,980税込￥109,978
1個
7日以内出荷
仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ； MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。；超低損失高周波動作； SiC特性により、並列が容易；通常オフ、フェイルセーフ動作；銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減ピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最小ゲートしきい値電圧(V)1.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25カテゴリーパワーMOSFET
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Wolfspeed NチャンネルパワーMOSFET
WOLFSPEED
￥4,698税込￥5,168
1個
翌々日出荷から7日以内出荷
チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
バリエーション一覧へ(15)
Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1200 V 19 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
WOLFSPEED
￥64,980税込￥71,478
1セット(30個)
7日以内出荷
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー高ドレインソース間降伏電圧最大 1200 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します高速スイッチング・低オン抵抗ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 196 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -5 V， +20 Vトランジスタ素材 = SiCmm高さ = 21.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1200 V 31 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
WOLFSPEED
￥199,800税込￥219,780
1セット(30個)
7日以内出荷
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します高速スイッチング・低オン抵抗ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 208 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.2V最低ゲートしきい値電圧 = 1.7V最大パワー消費 = 208 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V、+25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed Nチャンネル MOSFET1200 V 90 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
WOLFSPEED
￥18,980税込￥20,878
1個
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Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します高速スイッチング・低オン抵抗ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 90 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 463 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応