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「AB-3」の検索結果
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-220ABnexperia￥1,598税込￥1,758
1袋(4個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥84税込￥92
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥199税込￥219
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥559税込￥615
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥1,198税込￥1,318
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 850 mA， 3 ピン パッケージSOT-23 (TO-236AB)nexperia￥859税込￥945
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 850 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 120mA， 40V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥399税込￥439
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mm動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 低電圧アバランシェレギュレータダイオード， 5V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥289税込￥318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = アバランシェツェナー電圧許容性 = 4%ピン数 = 3テスト電流 = 0.25mA最大ツェナーインピーダンス = 700Ω最大逆漏れ電流 = 20μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm標準電圧温度係数 = 0.2mV/℃ツェナーダイオード250 mW、PLVA6xxAシリーズ、Nexperia. 低ノイズRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥209税込￥230
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 12V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥549税込￥604
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP SemiconductorsRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥519税込￥571
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥539税込￥593
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 225mA， 250V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥369税込￥406
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 12 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥349税込￥384
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥499税込￥549
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥399税込￥439
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥279税込￥307
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 250 V， 50 mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥349税込￥384
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 30 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥129税込￥142
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥6,198税込￥6,818
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
