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PSMN2R7-30PL，127 Nexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-220AB nexperia

nexperiaNexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,598 税込￥1,758

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BSH105，215 Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.05 A， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.05 A， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.05 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 0.85V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 417 mW標準ターンオフ遅延時間 = 45 nsNチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応

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BSH103，215 Nexperia NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 850 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB) nexperia

nexperiaNexperia NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 850 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 (TO-236AB)

RoHS

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 850 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、最大30 V、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応