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  • Nexperia NPN トランジスタ nexperia

    Nexperia NPN トランジスタ

    nexperia
    1,098税込1,208
    1袋(100個)ほか
    翌々日出荷から8日以内出荷
  • Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

    Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

    nexperia
    799税込879
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
  • NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMT nexperia

    NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMT

    nexperia
    759税込835
    1袋(50個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Nexperia トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BCX70J nexperia

    Nexperia トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BCX70J

    nexperia
    13,980税込15,378
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、Nexperia
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Nexperia トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BCX70K nexperia

    Nexperia トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, BCX70K

    nexperia
    3,598税込3,958
    1袋(200個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 380トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Nexperia NPN トランジスタ, 30 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

    Nexperia NPN トランジスタ, 30 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

    nexperia
    169税込186
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 420トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
  • NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMT nexperia

    NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMT

    nexperia
    629税込692
    1袋(50個)
    7日以内出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
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