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RoHS10物質対応(21)
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NXP 74 LVCシリーズ インバータ(NOTゲート)， 32mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOPnexperia￥379税込￥417
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.2 ns @ 5 V， 3 ns @ 3.3 V， 3.2 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 V74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-323 (SC-70)nexperia￥519税込￥571
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 150mA， 100V， 3-Pin SOT-323 (SC-70)nexperia￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥84税込￥92
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥199税込￥219
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Pチャンネル MOSFET， 50 V， 150 mA， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)nexperia￥1,098税込￥1,208
1リール(100個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥6,198税込￥6,818
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥279税込￥307
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ AHCTシリーズ， 3ステート， 4.5～5.5V， 5-Pin TSSOPnexperia￥619税込￥681
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー：AHCT●入力タイプ：TTL●出力タイプ：3ステート●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：5●高レベル出力電流 Max：-8mA●低レベル出力電流 Max：8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：9.5 ns@ 50 pF●寸法：2.25 x 1.35 x 1mm●高さ：1mm●動作供給電圧 Min：4.5 V●74HCT1G / 74HCT2G / 74HCT3Gファミリ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
