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仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
129 税込142
翌々日出荷


仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
369 税込406
翌々日出荷

仕様ロジックファミリー = ABTロジック機能 = バッファ, ラインドライバチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.6 ns @ 5 V寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm高さ = 1.45mm74ABTファミリ、Nexperia. アドバンスドBiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 4.5 → 5.0 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力TTL RoHS指令(10物質対応)対応
1個
78 税込86
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仕様ロジックファミリー = HCロジック機能 = D タイプ入力タイプ = シングルエンド出力信号タイプ = 差動トリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転, 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 265 ns @ 2 V寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm動作供給電圧 Min = 2 V74HCファミリフリップフロップ / ラッチ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのフリップフロップ / ラッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1本(57個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷




仕様ロジックファミリー:4000●ロジック機能:AND●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:14●高レベル出力電流 Max:-4.2mA●低レベル出力電流 Max:4.2mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:110 ns @ 5 V, 40 ns @ 15 V, 50 ns @ 10 V●寸法:8.75 x 4 x 1.45mm●高さ:1.45mm●動作供給電圧 Min:3 V●4000シリーズロジックゲート、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(57個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 900mV長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
379 税込417
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(3000個)
6,198 税込6,818
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = MiniMELFダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 3.7mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
439 税込483
7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
199 税込219
7日以内出荷


仕様ロジックファミリー:74LVC●ロジック機能:バッファ●1チップ当たりのチャンネル数:6●入力タイプ:CMOS, LVTTL●出力タイプ:オープンドレイン●極性:非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:14●低レベル出力電流 Max:32mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:6.5ns●寸法:8.75 x 4 x 1.45mm●高さ:1.45mm●動作供給電圧 Min:1.65 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(57個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様ロジックファミリー:74HCT●ロジック機能:バッファ, ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数:4●入力タイプ:TTL●出力タイプ:3ステート●極性:非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:14●高レベル出力電流 Max:-6mA●低レベル出力電流 Max:6mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:36ns●寸法:8.75 x 4 x 1.45mm●高さ:1.45mm●動作供給電圧 Max:5.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(57個)
2,598 税込2,858
7日以内出荷



仕様ロジックファミリー:HEF 、 ロジック機能:バッファ 、 チャンネル数:1 、 入力タイプ:CMOS, DTL, TTL 、 出力タイプ:シングルエンド 、 極性:反転 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SO 、 ピン数:16 、 高レベル出力電流 Max:-3.6mA 、 低レベル出力電流 Max:24 (Minimum)mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:100 (Low to High) ns @ 50 pF, 70 (High to Low) ns 、 寸法:10 x 4 x 1.45mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 4000シリーズインバータ及びバッファ、NXP Semiconductors RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
2,898 税込3,188
7日以内出荷
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仕様ロジックファミリー:LV●ロジック機能:D タイプ●入力タイプ:TTL●出力信号タイプ:差動●トリガータイプ:正エッジ●極性:反転, 非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:14●セット/リセット:Yes●1チップ当たりのエレメント数:2●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:58 ns@ 2 V●寸法:8.75 x 4 x 1.45mm●高さ:1.45mm●74LVファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック 動作電圧: 1.0 → 5.5 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(38個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷






仕様●チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:184 A●最大ドレイン-ソース間電圧:55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:40 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2.3V●最低ゲートしきい値電圧:0.5V●最大ゲート-ソース間電圧:15 V●パッケージタイプ:LFPAK●実装タイプ:表面実装●ピン数:4 + Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:85 W●標準ターンオフ遅延時間:44 ns●RoHS適合状況:適合●コード番号:170-4884 アズワン品番68-4150-95
1セット(1500個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷


仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.8 W標準ターンオフ遅延時間 = 20nSNチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
499 税込549
7日以内出荷


仕様ロジックファミリー = HCロジック機能 = モノステーブルマルチバイブレータ1チップ当たりのエレメント数 = 2高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA最小パルス幅 = 17 ns最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 255 ns @ 2 V最大静止電流 = 0.008mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.45mm高さ = 1.45mm長さ = 10mm動作供給電圧 Min = 2 V74HCファミリ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1本(50個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷